[發明專利]用于級聯不同材料的濾波器的設備和方法有效
| 申請號: | 201080026686.1 | 申請日: | 2010-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN102498665A | 公開(公告)日: | 2012-06-13 |
| 發明(設計)人: | C-Y.賈 | 申請(專利權)人: | 巖星比德科有限公司 |
| 主分類號: | H03H1/00 | 分類號: | H03H1/00;H03H3/00;H03H3/007;H03H3/08;H03H9/46;H03H9/64;H04B7/24 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉春元;盧江 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 級聯 不同 材料 濾波器 設備 方法 | ||
1.一種濾波器,包括:
至少一個第一濾波器,每個第一濾波器是具有第一組濾波器參數的帶阻型濾波器,所述第一組濾波器參數是用來制作相應第一濾波器的第一材料的函數;
至少一個第二濾波器,每個第二濾波器具有第二組濾波器參數,所述第二組濾波器參數是用來制作相應第二濾波器的第二材料的函數,每個第二濾波器是以下之一:
????帶阻型濾波器;以及
????帶通型濾波器;
其中所述至少一個第一濾波器中的至少一個和所述至少一個第二濾波器中的至少一個級聯在一起;
其中所述第一材料和所述第二材料是不同材料;并且
其中所述濾波器具有是所述第一材料和所述第二材料兩者的函數的第三組濾波器參數。
2.根據權利要求1所述的濾波器,其中每個第一濾波器是濾波器響應具有至少一個阻帶的窄帶帶阻型濾波器,每個阻帶具有相對于每個第二濾波器的過渡頻帶而言的陡峭的過渡頻帶。
3.根據權利要求1或者2所述的濾波器,其中所述第一材料具有比所述第二材料小的量值溫度系數,使得每個第一濾波器具有比每個第二濾波器少的依賴于溫度的頻率漂移。
4.根據權利要求1至3中的任一權利要求所述的濾波器,其中每個第二濾波器是以下之一:
寬帶帶通型濾波器;以及
寬帶帶阻型濾波器。
5.根據權利要求1至4中的任一權利要求所述的濾波器,其中所述第二材料具有比所述第一材料高的機電耦合系數。
6.根據權利要求1至5中的任一權利要求所述的濾波器,其中:
每個第一濾波器具有以下之一:
????第一阻帶,布置于所述至少一個第二濾波器之一的通帶的低側邊緣處;
????第一阻帶,布置于所述至少一個第二濾波器之一的阻帶的低側邊緣處;
????第一阻帶,布置于所述至少一個第二濾波器之一的通帶的高側邊緣處;
????第一阻帶,布置于所述至少一個第二濾波器之一的阻帶的高側邊緣處;
????兩個阻帶,所述兩個阻帶中的第一阻帶布置于所述至少一個第二濾波器之一的通帶的低側邊緣處,并且所述兩個阻帶中的第二阻帶布置于所述至少一個第二濾波器之一的所述通帶的高側邊緣處;以及
????兩個阻帶,所述兩個阻帶中的第一阻帶布置于所述至少一個第二濾波器之一的阻帶的低側邊緣處,并且所述兩個阻帶中的第二阻帶布置于所述至少一個第二濾波器之一的所述阻帶的高側邊緣處。
7.根據權利要求1至6中的任一權利要求所述的濾波器,其中:
使用以下的任何一個制作每個第一濾波器:表面聲波(SAW)技術;薄膜體聲學諧振器(FBAR)技術;以及體聲波(BAW)濾波器技術;并且
使用以下的任何一個制作每個第二濾波器:SAW技術;?FBAR技術;以及BAW濾波器技術。
8.根據權利要求1至7中的任一權利要求所述的濾波器,其中所述第一材料包括以下的至少一個:石英;Langasite;SiO2/ZnO/金剛石;SiO2/AlN/金剛石;Li2B4O7;AlN/Li2B4O7;LiTaO3;LiNbO3;SiO2/LiTaO3;SiO2/LiNbO3;AlN;及其組合。
9.根據權利要求1至8中的任一權利要求所述的濾波器,其中所述第二材料包括以下的至少一個:石英;Langasite;SiO2/ZnO/金剛石;SiO2/AlN/金剛石;Li2B4O7;AlN/Li2B4O7;LiTaO3;LiNbO3;SiO2/LiTaO3;SiO2/LiNbO3;ZnO;AlN;及其組合。
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