[發明專利]曝光條件設定方法及表面檢查裝置無效
| 申請號: | 201080025903.5 | 申請日: | 2010-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN102473600A | 公開(公告)日: | 2012-05-23 |
| 發明(設計)人: | 岡本裕昭 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默聞 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 曝光 條件 設定 方法 表面 檢查 裝置 | ||
1.一種曝光條件設定方法,是使用表面檢查裝置設定對進行既定曝光的被曝光基板的曝光條件,該表面檢查裝置具備對在表面具有半導體圖案的基板照射照明光的照明部、及檢測來自該照明光照射的該基板的復數個該半導體圖案的繞射光的檢測部,根據該檢測部所檢測的該繞射光的信息檢查該基板的表面,其特征在于,具有:
照明步驟,利用該照明部對已知曝光特性的基準基板的表面照射照明光;
檢測步驟,利用該檢測部檢測來自該照明光照射的該基準基板的復數個該半導體圖案的繞射光;以及
設定步驟,根據該檢測的該繞射光的亮度的偏差設定該曝光條件。
2.如權利要求1所述的曝光條件設定方法,其中,在該設定步驟,將該亮度的偏差成為極大或極大附近的該曝光的條件值設定為該曝光條件的限界值。
3.如權利要求2所述的曝光條件設定方法,其中,在該設定步驟,將根據該限界值設定的該曝光條件的范圍的中央值設定為該曝光條件的代表值。
4.如權利要求1至3任一項所述的曝光條件設定方法,其中,作為該半導體圖案,形成反復排列的線狀的線圖案或孔狀的孔圖案、及圍繞由該線圖案或該孔圖案構成的存儲器墊的反復排列的防護圖案;
該基準基板的復數個該半導體圖案分別以復數個曝光條件曝光形成。
5.一種表面檢查裝置,其具備:
照明部,對通過既定曝光在表面形成半導體圖案的基板照射照明光;
檢測部,檢測來自該照明光照射的該基板的復數個該半導體圖案的繞射光;以及
運算部,根據該檢測的來自復數個該半導體圖案的繞射光的亮度的偏差進行求出該曝光條件的運算。
6.如權利要求5所述的表面檢查裝置,其進一步具備與通過該既定曝光使該半導體圖案曝光的曝光裝置進行關于該曝光條件的電氣通訊的通訊部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





