[發(fā)明專利]具有偏壓正側(cè)和背側(cè)的影像傳感器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080025334.4 | 申請(qǐng)日: | 2010-06-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102804377A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 約翰·P·麥卡滕;克里斯蒂安·亞歷山德魯·蒂瓦魯斯;約瑟夫·R·蘇馬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 全視科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 沈錦華 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 偏壓 影像 傳感器 | ||
1.一種背照式影像傳感器,其包含:
傳感器層,其具有第一導(dǎo)電類型,所述傳感器層具有前側(cè)和與所述前側(cè)相對(duì)的背側(cè),其中所述傳感器層安置于鄰近于所述前側(cè)的電路層與安置于所述背側(cè)上方的絕緣層之間;
一個(gè)或一個(gè)以上區(qū),其具有第二導(dǎo)電類型,所述一個(gè)或一個(gè)以上區(qū)形成于所述傳感器層的至少一部分中鄰近于所述前側(cè),并電連接到第一電壓端子,所述第一電壓端子用于以第一預(yù)定電壓對(duì)所述一個(gè)或一個(gè)以上區(qū)加偏壓;及
背側(cè)阱,其具有所述第二導(dǎo)電類型,所述背側(cè)阱形成于所述傳感器層中鄰近于所述背側(cè),并電連接到第二電壓端子,所述第二電壓端子用于以不同于所述第一預(yù)定電壓的第二預(yù)定電壓對(duì)所述背側(cè)阱加偏壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背照式影像傳感器,其中所述第一導(dǎo)電類型包含p導(dǎo)電類型,且所述第二導(dǎo)電類型包含n導(dǎo)電類型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背照式影像傳感器,其進(jìn)一步包含:
多個(gè)光檢測(cè)器,其具有所述第一導(dǎo)電類型,所述多個(gè)光檢測(cè)器用于將入射于所述背側(cè)上的光轉(zhuǎn)換成光生電荷,每一光檢測(cè)器都具有空乏區(qū),其中所述多個(gè)光檢測(cè)器安置于所述傳感器層中鄰近于所述前側(cè);
多個(gè)電荷-電壓轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu),其具有所述第一導(dǎo)電類型,所述多個(gè)電荷-電壓轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)安置于所述傳感器層中鄰近于所述前側(cè);及
轉(zhuǎn)移柵極,其用于將每一電荷-電壓轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)電連接到相應(yīng)光檢測(cè)器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的背照式影像傳感器,其中具有所述第二導(dǎo)電類型的所述阱通過(guò)具有所述第二導(dǎo)電類型的一個(gè)或一個(gè)以上連接區(qū)電連接到所述第二電壓端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的背照式影像傳感器,其中具有所述第二導(dǎo)電類型的所述背側(cè)阱直接連接到所述第二電壓端子。
6.一種背照式影像傳感器,其包含:
傳感器層,其具有第一導(dǎo)電類型,所述傳感器層具有前側(cè)和與所述前側(cè)相對(duì)的背側(cè),其中所述傳感器層安置于鄰近于所述前側(cè)的電路層與安置于所述背側(cè)上方的絕緣層之間;
一個(gè)或一個(gè)以上區(qū),其具有第二導(dǎo)電類型,所述一個(gè)或一個(gè)以上區(qū)形成于所述傳感器層的至少一部分中鄰近于所述前側(cè),并電連接到第一電壓端子,所述第一電壓端子用于以第一預(yù)定電壓對(duì)所述一個(gè)或一個(gè)以上區(qū)加偏壓;
背側(cè)阱,其具有所述第二導(dǎo)電類型,所述背側(cè)阱形成于所述傳感器層中鄰近于所述背側(cè);
第二電壓端子,其安置于所述傳感器層的所述前側(cè)上;及
一個(gè)或一個(gè)以上連接區(qū),其具有所述第二導(dǎo)電類型,所述一個(gè)或一個(gè)以上連接區(qū)安置于所述背側(cè)阱與所述第二電壓端子之間,并電連接到所述背側(cè)阱和所述第二電壓端子,所述第二電壓端子用于以不同于所述第一預(yù)定電壓的第二預(yù)定電壓對(duì)所述背側(cè)阱加偏壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背照式影像傳感器,其進(jìn)一步包含:
多個(gè)光檢測(cè)器,其具有所述第一導(dǎo)電類型,所述多個(gè)光檢測(cè)器用于將入射于所述背側(cè)上的光轉(zhuǎn)換成光生電荷,每一光檢測(cè)器都具有空乏區(qū),其中所述多個(gè)光檢測(cè)器安置于所述傳感器層中鄰近于所述前側(cè);
多個(gè)電荷-電壓轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu),其具有所述第一導(dǎo)電類型,所述多個(gè)電荷-電壓轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)安置于所述傳感器層中鄰近于所述前側(cè);及
轉(zhuǎn)移柵極,其用于將每一電荷-電壓轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)電連接到相應(yīng)光檢測(cè)器。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或權(quán)利要求7所述的背照式影像傳感器,其中所述第一導(dǎo)電類型包含p導(dǎo)電類型,且所述第二導(dǎo)電類型包含n導(dǎo)電類型。
9.一種影像擷取器件,其包含:
背照式影像傳感器,其包含:
傳感器層,其具有第一導(dǎo)電類型,所述傳感器層具有前側(cè)和與所述前側(cè)相對(duì)的背側(cè),其中所述傳感器層安置于鄰近于所述前側(cè)的電路層與安置于所述背側(cè)上方的絕緣層之間;
一個(gè)或一個(gè)以上區(qū),其具有第二導(dǎo)電類型,所述一個(gè)或一個(gè)以上區(qū)形成于所述傳感器層的至少一部分中鄰近于所述前側(cè)且電連接到第一電壓端子,所述第一電壓端子用于以第一預(yù)定電壓對(duì)所述一個(gè)或一個(gè)以上區(qū)加偏壓;
背側(cè)阱,其具有所述第二導(dǎo)電類型,所述背側(cè)阱形成于所述傳感器層中鄰近于所述背側(cè);
第二電壓端子,其安置于所述傳感器層的所述前側(cè)上;及
一個(gè)或一個(gè)以上連接區(qū),其具有所述第二導(dǎo)電類型,所述一個(gè)或一個(gè)以上連接區(qū)安置于所述背側(cè)阱與所述第二電壓端子之間且電連接到所述背側(cè)阱和所述第二電壓端子,所述第二電壓端子用于以不同于所述第一預(yù)定電壓的第二預(yù)定電壓對(duì)所述背側(cè)阱加偏壓。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





