[發明專利]具有保護性涂層的太陽反射鏡及其制造方法

有效

• 申請號: 201080020853.1
• 申請日: 2010-03-17
• 公開（公告）號: CN102422182A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: A·班達里;H·布海;W·R·西斯科斯;J·P·蒂爾
• 申請（專利權）人: PPG工業俄亥俄公司
• 主分類號: G02B1/10
• 分類號: G02B1/10;C03C17/00;C03C17/245;C03C17/36;F24J2/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張濤

1.一種具有彎曲反射面的太陽反射鏡，該太陽反射鏡包括：

透明基底，該透明基底具有凸面和相對的凹面；以及

位于所述凸面之上的反射涂層和位于所述凹面之上的堿性阻擋層，其中，所述反射涂層反射電磁波譜的所選擇的波長。

2.根據權利要求1所述的太陽鏡，其中，所述堿性阻擋層具有機械和化學保護性能。

3.根據權利要求1所述的太陽鏡，其中，所述阻擋層位于所述基底的所述凹面上，并且包括鋁和硅的氧化物。

4.根據權利要求3所述的太陽鏡，其中，所述阻擋層的鋁的重量百分比大于硅的重量百分比。

5.根據權利要求4所述的太陽鏡，其中，所述阻擋層包括15％的鋁原子和85％的硅原子，并且所述膜通過磁控濺射真空沉淀被沉積。

6.根據權利要求5所述的太陽鏡，其中，所述阻擋層的厚度在700至950納米的范圍內。

7.根據權利要求1所述的太陽鏡，其中，所述透明基底是具有聚焦區的鈉鈣成形玻璃基底，并且所述阻擋層是鈉離子阻擋層。

8.根據權利要求7所述的太陽鏡，其中，所述阻擋層具有第一表面和相對的第二表面，并且所述阻擋層的所述第一表面與所述成形玻璃基底的所述凹面表面接觸，并且所述阻擋層的所述第二表面背離所述成形玻璃基底的所述凹面。

9.根據權利要求8所述的太陽鏡，其中，所述阻擋層包括硅和鋁的氧化物，并且所述阻擋層的所述第一表面具有第一重量百分比的硅，并且所述阻擋層的所述第二表面具有第二重量百分比的硅，其中，所述第一重量百分比的硅與所述第二重量百分比的硅不同。

10.根據權利要求7所述的太陽鏡，其中，所述成形玻璃基底包括保持在一起的至少兩個成形玻璃節段，以提供所述成形玻璃基底。

11.根據權利要求10所述的太陽鏡，其中，每個節段均包括所述拋物線成形玻璃基底的一部分(1/(拋物線成形玻璃基底的總節段))。

12.根據權利要求7所述的太陽鏡，其中，所述成形玻璃基底的周邊包括四個角部和四個側面。

13.根據權利要求7所述的太陽鏡，其中，所述成形玻璃基底具有包括位于所述成形玻璃基底的底部區域處的徑向拉伸應變和位于所述成形玻璃基底的外周處的周向壓縮應變的應變模式；其中，當距所述成形玻璃基底的所述外周的距離沿朝向所述成形玻璃基底的所述底部區域增加時，所述周向壓縮應變減小至被指定為“過渡線”的區域，在所述過渡線處在所述玻璃中存在周向壓縮應變和徑向拉伸應變，并且當沿朝向所述成形玻璃基底的所述底部區域的方向距所述過渡線的距離增大時，所述周向壓縮應變增大。

14.根據權利要求13所述的太陽鏡，其中，所述阻擋涂層覆蓋所述成形玻璃基底的所述凹面，并且具有恒定厚度。

15.根據權利要求14所述的太陽鏡，其中，所述阻擋涂層的厚度在60至100納米的范圍內，并且組分包括鋁和硅的氧化物，并且所述反射涂層為銀涂層。

16.根據權利要求13所述的太陽鏡，其中，當距所述成形玻璃基底的所述外周的距離朝向所述成形玻璃基底的所述底部區域增加時，所述阻擋涂層的厚度增加。

17.根據權利要求16所述的太陽鏡，其中，所述阻擋涂層的厚度在40至100納米的范圍內。

18.根據權利要求13所述的太陽鏡，其中，所述阻擋涂層具有：從所述成形玻璃基底的所述周邊至所述成形玻璃基底的所述過渡線的第一恒定厚度；以及從所述成形玻璃基底的所述過渡線到所述成形玻璃基底的所述底部區域的第二恒定厚度，其中所述第一恒定厚度與所述第二恒定厚度不同。

19.根據權利要求18所述的太陽鏡，其中，所述成形玻璃基底的所述第一恒定厚度在40至60納米的范圍內，并且所述第二恒定厚度在大于60至100納米的范圍內。