[發(fā)明專利]發(fā)光二極管以及用于制造發(fā)光二極管的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201080018556.3 | 申請(qǐng)日: | 2010-03-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102414849A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 文森特·格羅利爾;馬格納斯·阿爾斯泰特;米卡埃爾·阿爾斯泰特;迪特爾·艾斯勒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/44;H01L33/50;H01L33/38 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;李春暉 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 以及 用于 制造 方法 | ||
提出了一種發(fā)光二極管。發(fā)光二極管是包括至少一個(gè)有源區(qū)的冷光二極管,在有源區(qū)中在發(fā)光二極管的工作中產(chǎn)生電磁輻射。
根據(jù)發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施形式,發(fā)光二極管包括半導(dǎo)體本體,其中半導(dǎo)體本體包括設(shè)計(jì)用于產(chǎn)生輻射的有源區(qū)。半導(dǎo)體本體例如外延地生長(zhǎng)。
根據(jù)發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施形式,發(fā)光二極管包括支承體本體。支承體本體是機(jī)械自支承的。也就是說,支承體本體可以在機(jī)械上自支持,其無需附加的支承元件用于支持支承體本體。例如,支承體本體是機(jī)械上剛性的支承層。
支承體本體在半導(dǎo)體本體的上側(cè)上固定在半導(dǎo)體本體上。支承體本體例如可以借助連接單元固定在半導(dǎo)體本體上。支承體本體尤其并非半導(dǎo)體本體的生長(zhǎng)襯底。更確切地說,可能的是,將生長(zhǎng)襯底從半導(dǎo)體本體去除。
支承體本體于是例如在半導(dǎo)體本體的上側(cè)上粘合到半導(dǎo)體本體上。另外可能的是,支承體本體和半導(dǎo)體本體通過如陽極接合或者直接接合的方法彼此連接。在該情況中,在支承體本體和半導(dǎo)體本體之間沒有設(shè)置連接單元。
支承體本體在機(jī)械上支持半導(dǎo)體本體。也就是說,支承體本體為帶有支承體本體和半導(dǎo)體本體的發(fā)光二極管賦予其機(jī)械穩(wěn)定性。
根據(jù)支承體本體的至少一個(gè)實(shí)施形式,支承體本體包括發(fā)光轉(zhuǎn)換材料。發(fā)光轉(zhuǎn)換材料例如可以作為薄的層施加到支承體本體的外表面上。此外可能的是,發(fā)光轉(zhuǎn)換材料以顆粒的形式引入支承體本體中并且在那里例如溶解。最后可能的是,支承體本體由發(fā)光轉(zhuǎn)換材料構(gòu)成。支承體本體于是例如可以由陶瓷發(fā)光轉(zhuǎn)換材料構(gòu)成。
根據(jù)發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施形式,發(fā)光二極管包括鏡層,其在半導(dǎo)體本體的背離上側(cè)的下側(cè)上施加到半導(dǎo)體本體上。鏡層設(shè)計(jì)用于在發(fā)光二極管的工作中反射在有源區(qū)中產(chǎn)生的電磁輻射。此外,鏡層設(shè)計(jì)用于反射由發(fā)光轉(zhuǎn)換材料進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的光。為此,鏡層例如可以由介電材料、介電材料的層序列、金屬或者所述材料的組合形成。
根據(jù)發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施形式,發(fā)光二極管包括兩個(gè)接觸層。
兩個(gè)接觸層的第一接觸層在此與半導(dǎo)體本體的n導(dǎo)電區(qū)域連接,而接觸層的第二接觸層與半導(dǎo)體本體的p導(dǎo)電區(qū)域?qū)щ娺B接。通過接觸層可以從外側(cè)電接觸發(fā)光二極管,并且有源區(qū)被提供用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管所需的電流。
在此可能的是,兩個(gè)接觸層設(shè)置在鏡層的背離半導(dǎo)體本體的側(cè)上。對(duì)于鏡層由導(dǎo)電材料例如金屬形成的情況,接觸層與鏡層電絕緣。如果鏡層由導(dǎo)電材料形成,則此外也可能的是,鏡層的部分形成接觸層。
此外可能的是,第一接觸層設(shè)置在鏡層的背離半導(dǎo)體本體的側(cè)上。第二接觸層于是可以設(shè)置在支承體本體的背離半導(dǎo)體本體的側(cè)上。
根據(jù)發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施形式,發(fā)光二極管包括半導(dǎo)體本體,其中半導(dǎo)體本體包括設(shè)計(jì)用于產(chǎn)生輻射的有源區(qū)。此外,發(fā)光二極管包括支承體本體,其在半導(dǎo)體本體的上側(cè)上固定在半導(dǎo)體本體上,其中支承體本體包括發(fā)光轉(zhuǎn)換材料。此外,發(fā)光二極管包括鏡層,其在半導(dǎo)體本體的背離上側(cè)的下側(cè)上施加到半導(dǎo)體本體上。發(fā)光二極管此外包括兩個(gè)接觸層,其中接觸層的第一接觸層與半導(dǎo)體本體的n導(dǎo)電區(qū)域?qū)щ娺B接,而接觸層的第二接觸層與半導(dǎo)體本體的p導(dǎo)電區(qū)域?qū)щ娺B接。
發(fā)光二極管的支承體本體在發(fā)光二極管中有利地負(fù)責(zé)不同功能:
-支承體本體形成用于半導(dǎo)體本體的支承體本體,并且由此形成發(fā)光二極管的機(jī)械支持的部件。
-支承體本體此外形成轉(zhuǎn)換介質(zhì),借助其可以將有源區(qū)中產(chǎn)生的電磁輻射至少部分地轉(zhuǎn)換為其他的、優(yōu)選更高的波長(zhǎng)的輻射。例如,發(fā)光二極管通過這種方式適于在工作中發(fā)射白色混合光,其由通過發(fā)光轉(zhuǎn)換材料重新發(fā)射的光和在有源區(qū)中產(chǎn)生的電磁輻射組成。
-此外,支承體本體可以形成散射中心。如果支承體本體例如由陶瓷發(fā)光轉(zhuǎn)換材料形成,則其除了頻率轉(zhuǎn)換特性之外還具有光散射作用,其有助于從發(fā)光二極管出射的電磁輻射的混合。此外可能的是,光散射材料引入到支承體本體中或者施加到支承體本體上。
-此外,支承體本體形成用于半導(dǎo)體本體的保護(hù)層,其可以保護(hù)半導(dǎo)體本體免受機(jī)械和/或化學(xué)損傷。
根據(jù)發(fā)光二極管的至少一個(gè)實(shí)施形式,在工作中在有源區(qū)中產(chǎn)生的發(fā)光二極管的電磁輻射僅僅通過支承體本體耦合輸出。也就是說,在工作中在有源區(qū)中產(chǎn)生的電磁輻射僅僅可以通過支承體本體離開發(fā)光二極管。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),可以采取措施,其阻止電磁輻射通過芯片的側(cè)面耦合輸出。
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