[發明專利]發光二極管以及用于制造發光二極管的方法

無效

• 申請號: 201080018556.3
• 申請日: 2010-03-25
• 公開（公告）號: CN102414849A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 文森特·格羅利爾;馬格納斯·阿爾斯泰特;米卡埃爾·阿爾斯泰特;迪特爾·艾斯勒
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/44;H01L33/50;H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;李春暉

1.一種發光二極管，具有：

-半導體本體(1)，其中半導體本體(1)包括設計用于產生輻射的有源區(11)，

-支承體本體(2)，其在半導體本體(1)的上側(1a)上固定在半導體本體(1)上，其中支承體本體(2)包括發光轉換材料，尤其是由陶瓷發光轉換材料構成，

-鏡層(3)，其在半導體本體(1)的背離上側(1a)的下側(1b)上施加到半導體本體(1)，以及

-兩個接觸層(4a，4b)，其中所述接觸層的第一接觸層(4a)與半導體本體(1)的n導電區域(13)連接，而所述接觸層的第二接觸層(4b)與半導體本體(1)的p導電區域(12)導電連接。

2.根據上一權利要求所述的發光二極管，其中將至少一個溝道(9)從所述接觸層(4a，4b)的至少之一引入半導體本體(1)和/或引向半導體本體(1)，所述溝道以導電材料(91)填充，所述材料與半導體本體(1)和所述接觸層(4a，4b)之一導電連接。

3.根據上一權利要求所述的發光二極管，其中所述至少一個溝道(9)穿過鏡層(3)。

4.根據上述兩個權利要求之一所述的發光二極管，其中所述至少一個溝道(9)穿過支承體本體(2)。

5.根據上述權利要求之一所述的發光二極管，其中在工作中在有源區(11)中產生的電磁輻射能夠僅僅通過支承體本體(2)離開發光二極管。

6.根據上述權利要求之一所述的發光二極管，其中支承體本體(2)的至少一個側面(2c)與半導體本體(1)的至少一個側面(1c)齊平地結束。

7.根據上述權利要求之一所述的發光二極管，其中蓋層(5)完全覆蓋半導體本體(1)的至少一個側面(1c)。

8.根據上一權利要求所述的發光二極管，其中蓋層(5)側向地遮蓋支承體本體(2)和/或鏡層(3)。

9.根據上述權利要求之一所述的發光二極管，其中支承體本體(2)由陶瓷發光轉換材料構成。

10.根據上述權利要求之一所述的發光二極管，其中耦合輸出結構(6)設置在半導體本體(1)和支承體本體(2)之間，其中耦合輸出結構(6)和半導體本體(1)的材料的折射率彼此偏差最多30％。

11.根據上述權利要求之一所述的發光二極管，其中耦合輸出結構(6)的材料不同于半導體本體(1)的材料，并且耦合輸出結構(6)的材料包含以下材料之一或者由其構成：TiO₂、ZnS、AlN、SiC、BN、Ta₂O₅。

12.根據上述權利要求之一所述的發光二極管，其中在半導體本體(1)和支承體本體(2)之間設置有連接單元(7)，其建立半導體本體(1)和支承體本體(2)之間的機械連接。

13.根據上一權利要求所述的發光二極管，其中連接單元(7)的折射率與半導體本體(1)的折射率偏差至少30％。

14.根據上述兩個權利要求之一所述的發光二極管，其中連接單元(7)將耦合輸出結構(6)在其暴露的外表面上圍繞。

15.一種用于制造發光二極管的方法，具有帶有以下順序的以下步驟：

-提供半導體本體(1)，

-在半導體本體(1)的上側(1a)上施加支承體本體(2)，

-剝離半導體本體(1)的生長襯底(14)，

-在半導體本體(1)的背離支承體本體(2)的下側(1b)上產生鏡層(3)，

-產生穿過鏡層(3)和/或支承體本體(2)進入半導體本體(1)和/或去向半導體本體(1)的溝道(9)，

-用導電材料(91)填充溝道(9)

-構建接觸層(4a，4b)，其中接觸層(4a，4b)與導電材料(91)導電連接。