[發(fā)明專利]減少損壞的低k電介質刻蝕的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080017817.X
• 申請日: 2010-04-05
• 公開（公告）號: CN102365718A
• 公開（公告）日: 2012-02-29
• 發(fā)明（設計）人: 兵·紀;竹下健二;安德魯·D·貝利三世;埃里克·A·赫德森;里亞姆·莫拉維茨;史蒂芬·M·施瑞德;高貞民;丹尼爾·樂;羅伯特·C·赫夫提;程宇;赫拉爾多·A·德爾加迪尼奧;畢-明·殷
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H05H1/34
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.將特征刻蝕進設于有機掩膜下方的低k介電層的方法，包括：

穿過所述有機掩膜將所述特征刻蝕進所述低k介電層；

在所述低k介電層上淀積碳氟化合物層；

固化所述碳氟化合物層；以及

剝除所述有機掩膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述低k電介質是具有有機成 分的二氧化硅基電介質。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述有機掩膜是光刻膠掩膜。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述固化進行至少5分鐘。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述刻蝕、淀積、固化和剝除 在單個等離子體處理腔中進行。

6.根據權利要求5所述的方法，其中在所述單個等離子體處理腔中 的公用電極用于刻蝕和剝除。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述固化進行至少10分鐘。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述固化進行至少24小時。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述碳氟化合物層的成分包括 氫、氮或硫。

10.根據權利要求1所述的方法，其中C₄F₈或C₄F₆中的至少一種被 用于提供所述碳氟化合物淀積。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述固化在真空維持下進行。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述剝除使用CO₂占多數比 例的剝除氣體。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述有機掩膜是光刻膠掩膜。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述固化進行至少5分鐘。

15.根據權利要求1所述的方法，其中所述刻蝕、淀積、固化和剝除 在單個等離子體處理腔中進行。

16.根據權利要求15所述的方法，其中在所述單個等離子體處理腔 中的公用電極用于刻蝕和剝除。

17.將特征刻蝕進設于光刻膠掩膜下方的帶有有機成分的二氧化硅 基低k介電層的方法，其包括：

提供所述二氧化硅基低k介電層進入等離子體處理腔；

穿過所述光刻膠掩膜將特征刻蝕進所述二氧化硅基低k介 電層，同時在所述等離子體處理腔中淀積碳氟化合物層于所述二 氧化硅基低k介電層上；

在所述等離子體處理腔中固化所述碳氟化合物層；以及

在所述等離子體處理腔中剝除所述光刻膠掩膜。