[發明專利]用于將襯底保持在材料沉積設備中的裝置

有效

• 申請號: 201080015151.4
• 申請日: 2010-03-29
• 公開（公告）號: CN102482759A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 約翰內斯·克里內;埃爾溫·艾林;卡勒-海因茨·霍豪斯;沃爾夫岡·格爾根;安德烈亞斯·洛維奇;馬克·菲利彭斯;理查德·沙伊歇爾;安斯加爾·菲舍爾;馬丁·穆勒
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國

1.一種用于將襯底(10)保持在材料沉積設備()中的裝置，所述襯底(10)具有其上待沉積材料(M)的沉積側(10a)，并且所述裝置(1)包括：

-遮蔽掩模(20)，包括多個沉積開口(D₁)；

-支撐結構(30)，包括多個環繞開口(S₁)；和

-用于保持所述支撐掩模(30)的支撐結構保持裝置(6)和/或用于保持所述襯底(10)的襯底保持裝置(5)，使得所述支撐結構(30)在與所述襯底(10)的沉積側(10a)相同的側上，并且所述遮蔽掩模(20)位于所述襯底(10)和所述支撐結構(30)之間，使得所述遮蔽掩模(10)的至少一個沉積開口(D₁)位于所述支撐結構(30)的對應環繞開口(S₁)內。

2.根據權利要求1所述的裝置(1)，其中所述遮蔽掩模(20)的沉積開口(D₁)與所述支撐結構(30)的環繞開口(S₁)相連。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的裝置(1)，其中所述支撐結構(30)的環繞開口(S₁)大于所述遮蔽掩模(20)的相連的沉積開口(D₁)。

4.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(1)，包括厚度為至少1.5mm的支撐結構(30)。

5.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(1)，包括厚度為最多0.5mm的遮蔽掩模(20)。

6.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(1)，其中所述支撐結構(30)包括磁性材料，并且所述裝置(1)包括布置在所述襯底(10)的與所述沉積側(10a)相反的側上以對所述磁性支撐結構(30)施加磁力的磁體(70)。

7.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(1)，包括框(4)，所述框(4)包括所述襯底保持裝置(5)和/或所述支撐結構保持裝置(6)。

8.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(1)，其中遮蔽掩模(20)和/或支撐結構(30)的所述開口(D₁、S₁)包括激光切割的開口(D₁、S₁)和/或光化學蝕刻的開口(D₁、S₁)和/或機械切割的開口(D₁、S₁)。

9.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(1)，其中，在材料沉積過程中，所述遮蔽掩模(20)在水平上位于所述襯底(10)的所述沉積面(10a)下方，并且所述支撐結構(30)在水平上位于所述遮蔽掩模(20)下方。

10.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(1)，其中所述支撐結構(30)包括支撐掩模或支撐桿。

11.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(1)，其中所述襯底(10)、遮蔽掩模(20)和支撐結構(30)相互直接接觸。

12.根據前述權利要求中任一項所述的裝置(1)，其中所述支撐結構包括磁性材料，并且其中磁體位于所述襯底的非沉積側上以對所述支撐結構施加磁力。

13.一種材料沉積設備(50)，包括根據權利要求1至12中任一項所述的用于保持襯底(10)的裝置(1)。

14.一種將：

-襯底(10)，包括其上待沉積材料(M)的沉積側(10a)；

-遮蔽掩模(10)，包括多個沉積開口(D₁)；和

-支撐結構(30)，包括多個環繞開口(S₁)；

布置在材料沉積設備(50)中的方法，所述方法包括：使所述遮蔽掩模(20)和所述支撐結構(30)相對于所述襯底(10)定位，使得所述支撐結構(30)在與所述襯底(10)的沉積側(10a)相同的側上，并且使所述遮蔽掩模(20)位于所述襯底(10)和所述支撐結構(30)之間，使得所述遮蔽掩模(20)的至少一個沉積開口(D₁)位于所述支撐結構(30)的對應環繞開口(S₁)內。