[發(fā)明專利]熒光體、其制造方法、發(fā)光器具以及圖像顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080012008.X
• 申請日: 2010-03-26
• 公開（公告）號: CN102348778A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廣崎尚登
• 申請（專利權(quán)）人: 獨立行政法人物質(zhì)·材料研究機構(gòu)
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;C09K11/08;H01J17/04;H01J17/49;H01J29/20;H01J31/15;H01L33/50
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種熒光體，其中，至少含有Li、Ca、Si、Al、O(氧)、N(氮)和Ce元素，以CaAlSiN₃結(jié)晶、或具有與CaAlSiN₃相同的晶體結(jié)構(gòu)的結(jié)晶為基質(zhì)晶體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述熒光體進一步含有Sr元素。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述Ce的原子分率a滿足

0.0005≤a≤0.02。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述Li的原子分率b滿足

0.005≤b≤0.11。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述Ca的原子分率c滿足

0.03≤c≤0.15。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述Al的原子分率d滿足

0.03≤d≤0.15。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述Si的原子分率e滿足

0.2≤e≤0.3。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述Li、Ca、Si、Al和Ce以外的其它金屬元素的原子分率f滿足

f≤0.0001。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述O的原子分率g滿足

0.008≤g≤0.1。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述N的原子分率h滿足

0.4≤h≤0.5。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述Ce的原子分率a和所述Li的原子分率b滿足

b≥1.2×a。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述Al的原子分率d和所述Si的原子分率e滿足

1.5≤e/d≤9。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述O的原子分率g和所述N的原子分率h滿足

0.015≤g/h≤0.1。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述Ce的原子分率a、所述Li的原子分率b、所述Ca的原子分率c、所述Al的原子分率d、所述Si的原子分率e、所述Ce、Li、Ca、Si和Al以外的其它金屬元素的原子分率f、所述O的原子分率g、和所述N的原子分率h滿足

0.0005≤a≤0.02

0.005≤b≤0.11

0.03≤c≤0.15

0.03≤d≤0.15

0.2≤e≤0.3

f≤0.0001

0.008≤g≤0.1

0.4≤h≤0.5，

通過照射激發(fā)源而發(fā)出在波長560nm～620nm的范圍的波長具有峰的熒光。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的熒光體，其中，所述Ce的原子分率a滿足

0.0007≤a≤0.01，

通過照射激發(fā)源而發(fā)出在波長560nm以上且小于580nm的范圍的波長具有峰的熒光。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的熒光體，其中，所述Ce的原子分率a滿足

0.0019≤a≤0.0085，

通過照射激發(fā)源而發(fā)出在波長580nm以上且小于600nm的波長具有峰的熒光。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的熒光體，其中，所述Li的原子分率b、所述Ca的原子分率c、所述Al的原子分率d、所述Si的原子分率e、所述O的原子分率g、和所述N的原子分率h進一步滿足

0.03≤b≤0.11

0.04≤c≤0.12

0.04≤d≤0.12

0.21≤e≤0.3

0.015≤g≤0.05

0.45≤h≤0.5。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的熒光體，其中，所述Ce的原子分率a滿足

0.006≤a≤0.018，

通過照射激發(fā)源而發(fā)出在波長600nm～620nm的范圍的波長具有峰的熒光。