[發明專利]封裝件的制造方法、壓電振動器的制造方法、振蕩器、電子設備及電波鐘

無效

• 申請號: 201080010665.0
• 申請日: 2010-02-18
• 公開（公告）號: CN102356546A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 沼田理志;須釜一義;樋口浩
• 申請（專利權）人: 精工電子有限公司;NSG精密股份有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;王忠忠

技術領域

本發明涉及包括互相接合的多個基板、在多個基板的內側形成的空腔、及使空腔內部與多個基板的外側導通的貫通電極的封裝件(package)的制造方法、將壓電振動片安裝在貫通電極并且配置在空腔內部的壓電振動器、具有壓電振動器的振動器、電子設備及電波鐘。

背景技術

近年來，在便攜電話或便攜信息終端設備中，利用了水晶等的壓電振動器被用作時刻源或控制信號等的定時源、參照信號源等。已知各式各樣的這種壓電振動器，表面安裝型的壓電振動器作為其中之一而為人所知。作為這種壓電振動器，一般為人所知的是用基底基板與蓋基板從上下夾住形成有壓電振動片的壓電基板的方式接合的3層構造型壓電振動器。在這種情況下，壓電振動片容納于基底基板與蓋基板之間形成的空腔(密閉室)內。

另外，近年來，不僅是上述3層構造型壓電振動器，2層構造型壓電振動器也被開發。在這種類型的壓電振動器中，將基底基板與蓋基板直接接合而成為2層構造的封裝件，在兩基板間形成的空腔內容納壓電振動片。該2層構造型的壓電振動器與3層構造的壓電振動器相比，在能夠實現薄型化等方面上較優秀，從而適宜使用。

作為這樣的2層構造型的壓電振動器的封裝件之一而為人所知的是在玻璃制的基底基板形成的貫通孔、用銀膏(paste)等導電部件填充并燒結而形成貫通電極，將水晶振動器與基底基板的外側設有的外部電極電連接的壓電振動器(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2002-124845號公報

發明內容

然而，利用銀膏形成的貫通電極中，通過燒結去除了銀膏中的樹脂等有機物而使體積減小，所以在貫通電極的表面產生凹部，或是在貫通電極中開有孔。而且，該貫通電極的凹部或孔有可能成為空腔內的氣密性下降、或壓電振動片與外部電極的導電性變差的原因。

因此，最近開發出利用由金屬材料構成的金屬銷形成貫通電極的方法。該方法中，首先，在貫通電極形成用圓片形成的貫通孔中插通金屬銷，在貫通孔填充玻璃料，將玻璃料燒結使基底基板用圓片與金屬銷一體化。通過貫通電極使用金屬銷，能確保穩定的導電性。

然而，通過燒結玻璃料含有的有機物粘合劑(binder)被去除，所以在玻璃料的表面有時會產生體積減少導致的凹部。再者，該玻璃料的凹部有可能成為后序進行的電極膜形成工序中斷線的原因。

本發明有鑒于上述問題點構思而成，其目的是提供能夠防止在貫通電極的周圍產生凹部的封裝件的制造方法。

為解決上述課題，本發明采用以下方案。

即，本發明涉及的封裝件的制造方法，所述封裝件具備互相接合的多個基板、在所述多個基板的內側形成的空腔、以及使所述空腔的內部和所述多個基板的外側導通的貫通電極，所述貫通電極在由玻璃材料構成的貫通電極形成基板的孔部，配置有由金屬材料構成的導電性的芯材部而形成，其特征在于，包括：孔部形成工序，在貫通電極形成基板用圓片形成插入所述芯材部的所述孔部；芯材部插入工序，在所述貫通電極形成基板用圓片形成的所述孔部插入所述芯材部；熔敷工序，加熱所述貫通電極形成基板用圓片，使其熔敷到所述芯材部；以及冷卻工序，冷卻所述貫通電極形成基板用圓片，在所述熔敷工序中，在所述貫通電極形成基板用圓片的表面設置加壓模，用所述加壓模按壓所述貫通電極形成基板用圓片，并且通過將所述貫通電極形成基板用圓片加熱到比所述玻璃材料的軟化點高的溫度，使所述貫通電極形成基板用圓片熔敷到所述芯材部。

本發明中用加壓模按壓貫通電極形成基板用圓片及芯材部，并且加熱貫通電極形成基板用圓片使貫通電極形成基板用圓片熔敷到芯材部，所以能用不含有機物粘合劑的材料形成貫通電極。因此，沒有伴隨著有機物去除的體積減少，能防止在貫通電極的周圍產生凹部。

另外，本發明涉及的封裝件的制造方法的特征在于，在所述冷卻工序中，與從所述熔敷工程中的加熱溫度到構成所述貫通電極形成基板用圓片的所述玻璃材料的應變點+50℃的冷卻速度相比，使從所述應變點+50℃到所述應變點-50℃的冷卻速度慢。

本發明中，與從熔敷工程中的加熱溫度到構成貫通電極形成基板用圓片的玻璃材料的應變點+50℃的冷卻速度相比，使從應變點+50℃到應變點-50℃的冷卻速度慢。在熔敷工序中，將貫通電極形成基板用圓片加熱到比應變點溫度高的軟化點，所以如果在冷卻工序中急速地冷卻，則貫通電極形成基板用圓片可能殘留應變。因此，通過在應變點±50℃的范圍使冷卻速度下降，能夠防止貫通電極形成基板用圓片產生應變。