[發(fā)明專利]用于OLED面板的像素電路，具有該像素電路的顯示設備以及使用該像素電路驅動OLED面板的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080007966.8
• 申請日: 2010-01-06
• 公開（公告）號: CN102714018A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設計）人: 崔東旭
• 申請（專利權）人: 娜我比可隆株式會社
• 主分類號: G09G3/30
• 分類號: G09G3/30;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;孫海龍

1.一種用于有機發(fā)光二極管(OLED)面板的像素電路，所述像素電路包括：

開關元件，由通過從多條掃描線中順序選出的掃描線中的相應一條掃描線輸入的掃描信號驅動，且被配置成基于通過多條數(shù)據(jù)線中的相應一條數(shù)據(jù)線輸入的亮度數(shù)據(jù)傳輸驅動電流；以及

OLED，被配置成使用由所述開關元件傳輸?shù)尿寗与娏靼l(fā)光。

2.根據(jù)權利要求1所述的像素電路，其中所述開關元件包括晶體管，所述晶體管的柵極端子連接到相應掃描線，所述晶體管的漏極端子連接到相應數(shù)據(jù)線，且所述晶體管的源極端子連接到所述OLED。

3.根據(jù)權利要求2所述的像素電路，其中所述OLED具有連接到所述晶體管的源極端子的陽極和連接到公共電極的陰極。

4.根據(jù)權利要求2所述的像素電路，其中所述晶體管是N型或P型金屬氧化物薄膜晶體管。

5.根據(jù)權利要求4所述的像素電路，其中所述金屬氧化物薄膜晶體管包括有源層，所述有源層由選自氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZnO)和氧化銦鎵鋅(IGZO)組成的組中的任意一種材料制成。

6.根據(jù)權利要求1所述的像素電路，其中所述OLED包括透明OLED(TOLED)。

7.根據(jù)權利要求1所述的像素電路，其中所述OLED包括：

基板；

在所述基板上形成的第一電極；

在所述第一電極上形成的有機層；

在所述有機層上形成的第二電極；以及

在所述有機層和所述第二電極之間和/或在所述第二電極上形成的透明層，所述透明層被配置成包括選自由氧化物、氮化物、鹽及其混合物組成的組中的任意一種材料。

8.根據(jù)權利要求7所述的像素電路，其中所述氧化物包括選自以下氧化物組成的組中的任意一種氧化物：MoO₃、ITO、IZO、IO、ZnO、TO、TiO₂、SiO₂、WO₃、Al₂O₃、Cr₂O₃、TeO₂以及SrO₂。

9.根據(jù)權利要求7所述的像素電路，其中所述氮化物包括選自由SiN和AIN組成的組中的任意一種氮化物。

10.根據(jù)權利要求7所述的像素電路，其中所述鹽包括選自以下鹽組成的組中的任意一種鹽：Cs₂CO₃、LiCO₃、KCO₃、NaCO₃、LiF、CsF以及ZnSe。

11.根據(jù)權利要求7所述的像素電路，其中所述透明層被形成為具有等于或大于0.1nm且小于100nm的厚度。

12.根據(jù)權利要求7所述的像素電路，其中所述有機層包括摻雜有選自由低功函數(shù)金屬及其混合物組成的組中的任意一種的電子輸運層以促進電子從所述第二電極的注入。

13.根據(jù)權利要求12所述的像素電路，其中所述低功函數(shù)金屬包括選自由以下金屬組成的組中的任意一種金屬：Cs、Li、Na、K和Ca。

14.根據(jù)權利要求12所述的像素電路，其中所述低功函數(shù)金屬的混合物可以包括選自由以下混合物組成的組中的任意一種混合物：Li-Al、LiF、CsF和Cs₂CO₃。

15.根據(jù)權利要求7所述的像素電路，其中取決于波長(nm)，所述OLED呈現(xiàn)出70％至99％的透射率。

16.一種顯示設備，所述顯示設備包括：

掃描線驅動電路，用于通過多條掃描線順序輸出掃描信號；

數(shù)據(jù)驅動電路，用于通過多條數(shù)據(jù)線傳輸亮度數(shù)據(jù)；以及

用于有機發(fā)光二極管(OLED)面板的一個或更多像素電路，所述像素電路在矩陣形式的所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線交叉的位置連接和形成，其中，各所述像素電路包括：開關元件，由通過從多條掃描線中順序選出的掃描線中的相應一條掃描線輸入的掃描信號驅動，且被配置成基于通過所述多條數(shù)據(jù)線中的相應一條輸入的亮度數(shù)據(jù)傳輸驅動電流；以及OLED，被配置成使用所述開關元件傳輸?shù)尿寗与娏靼l(fā)光。