[發(fā)明專利]光波導無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080006411.1 | 申請日: | 2010-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN102301264A | 公開(公告)日: | 2011-12-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 武信省太郎;江里口武;橫塚俊亮 | 申請(專利權(quán))人: | 旭硝子株式會社 |
| 主分類號: | G02B6/12 | 分類號: | G02B6/12;C08F2/44;C08F290/06;C08G65/40 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 胡燁 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 波導 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光波導。
背景技術(shù)
例如在通信設(shè)備領(lǐng)域,隨著設(shè)備的小型化及通信的高速化,在信號傳輸中采用樹脂制光波導的技術(shù)備受矚目。
專利文獻1中提出了TFT(薄膜晶體管)的制造工序中作為形成各像素時的填埋材料采用高透明、低介電常數(shù)的聚亞芳基樹脂的技術(shù)方案。專利文獻2中提出了使聚亞芳基樹脂具備感光性的負型感光性樹脂組合物,但沒有將其用于光波導的例子。
專利文獻1:國際公開第2006/137327號文本
專利文獻2:國際公開第2007/119384號文本
發(fā)明的揭示
樹脂制光波導容易出現(xiàn)耐熱性方面的問題。另外,因加熱、彎曲、溫度變化等,在核和殼的界面有時會出現(xiàn)剝離或開裂等,因此要求能夠很好地防止這些情況的出現(xiàn)。
本發(fā)明是鑒于以上情況完成的發(fā)明,其目的是提供一種由樹脂材料形成的光波導,該光波導的耐熱性良好,且核和殼的密合性良好。
為了解決以上的問題,本發(fā)明的光波導包括核和殼,所述核由具備交聯(lián)性官能團的含氟聚亞芳基預聚物(A)固化而得,殼由包含分子量為140~5000、具有交聯(lián)性官能團、不含氟原子的化合物(B)和含氟聚亞芳基預聚物(A)的固化性組合物(I)固化而得。
較好的是所述固化性組合物(I)中,相對于所述含氟聚亞芳基預聚物(A)和所述化合物(B)的總質(zhì)量,所述含氟聚亞芳基預聚物(A)的比例為1~97質(zhì)量%。
較好的是所述化合物(B)具有2個以上的交聯(lián)性官能團。
較好的是所述化合物(B)中的交聯(lián)性官能團包含選自乙烯基、烯丙基、乙炔基、乙烯氧基、烯丙氧基、丙烯酰基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰基、甲基丙烯酰氧基的1種以上的基團。
較好的是所述光波導為膜狀。
通過本發(fā)明,可獲得由樹脂材料形成、耐熱性良好且核和殼的密合性良好的光波導。
附圖的簡單說明
圖1是表示本發(fā)明的光波導的一種實施方式的剖視圖。
圖2是以圖2(a)~圖2(c)按工序依次表示本發(fā)明的光波導的制造方法的例子的剖視圖。
實施發(fā)明的最佳方式
本說明書中,JPCA標準是指“高分子光波導的試驗方法JPCA-PE02-05-01S-2008”(社團法人日本電子電路工業(yè)協(xié)會發(fā)行)。
<光波導>
圖1表示本發(fā)明的光波導的一種實施方式,是相對于核的長度方向垂直的剖視圖。圖中符號1為核,4為殼。本實施方式的光波導是殼4的厚度(c+d)為20~200μm左右的膜狀。
本實施方式中,核1的剖面形狀為矩形,但并不限定于此,例如也可以是梯形、圓形、橢圓形。核1的剖面形狀為多邊形時,其角可帶圓弧。
核1的周圍被殼4包圍。殼4由下殼2和上殼3形成。核1的折射率高于殼4的折射率。即,核1的折射率比下殼2的折射率及上殼3的折射率都要高。下殼2和上殼3可以是相同材質(zhì),也可不同。
對于核1的形狀及大小無特別限定,可考慮與光源或受光元件的結(jié)合效率等適當設(shè)計。結(jié)合效率依賴于核直徑和數(shù)值孔徑(日文:開口數(shù))(NA)。例如,核1的寬度a及高度b較好是分別約為10~100μm。如果小于10μm,則與光源或受光元件的結(jié)合效率易下降。另一方面,如果假定以例如彎曲半徑R=1mm左右被彎曲,則從減小彎曲損失的角度考慮,核1的寬度a及高度b較好是在100μm以下。此外,作為受光元件使用的光電二極管(PD)的受光部的大小(寬度和高度)通常在100μm以下,因此從這點考慮,核1的寬度a及高度b最好均在100μm以下。彎曲損失的測定可采用JPCA標準的4.6.4中記載的方法來實施。具體來講,在彎曲半徑為1mm的條件下實施,測定按照b)測定2進行。這里,彎曲方法是選擇360度的彎曲角度、采用所述JPCA標準的圖4.6.4-1測定1中的彎曲方法1來實施彎曲。
下殼2的厚度c及上殼3的厚度d根據(jù)數(shù)值孔徑(NA)的值以使光損失減少為條件來設(shè)計。可以在不具備下殼2及上殼3的一方或兩者均不具備的條件下以核1與空氣層相接觸的構(gòu)成來實現(xiàn)光的傳輸,但最好是設(shè)有下殼2及上殼3。
從核1的保護的角度考慮,下殼2的厚度c較好為5~50μm的范圍。從保護的角度考慮,上殼3的厚度d較好為15~150μm的范圍。
<含氟聚亞芳基預聚物(A)>
核1通過使具有交聯(lián)性官能團的含氟聚亞芳基預聚物(A)(以下也簡稱為預聚物(A))固化而形成。
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