[實用新型]一種新型ESD保護電路

無效

• 申請號: 201020693844.6
• 申請日: 2010-12-31
• 公開（公告）號: CN201887449U
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 趙明付;彭鳳雄
• 申請（專利權）人: 惠州市正源微電子有限公司
• 主分類號: H02H9/00
• 分類號: H02H9/00
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 任海燕

1.一種新型ESD保護電路，包括兩列由二極管依次串聯組成的二極管串，兩列二極管串互為反相并聯后通過電阻接地，其特征在于：還包括晶體管T₁和T₂，所述晶體管T₁和T_2??柵極分別通過電阻接二極管串一并聯端，晶體管T₁?源極接T_2??漏極，晶體管T₁漏極接二極管串另一并聯端，晶體管T₂?源極通過電容接地。

2.根據權利要求1所述的新型ESD保護電路，其特征在于：所述晶體管T₁?漏極和柵極之間接有前饋電容C_3?，晶體管T_2??柵極與漏極之間接有后饋電容C₂。

3.根據權利要求2所述的新型ESD保護電路，其特征在于：所述晶體管T₁?源極和漏極之間接有平衡電阻R₅，晶體管T_2??源極和漏極之間接有平衡電阻R₆。

4.根據權利要求3所述的新型ESD保護電路，其特征在于：晶體管T₂?源極還接有ESD放電通路。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的新型ESD保護電路，其特征在于：所述晶體管T₁和T_2??為耗盡型pHEMT晶體管。

6.根據權利要求5所述的新型ESD保護電路，其特征在于：所述晶體管T₁和T₂采用單柵或多柵pHEMT晶體管。

7.根據權利要求6所述的新型ESD保護電路，其特征在于：兩列二極管串中均設有限流電阻。

8.根據權利要求1所述的新型ESD保護電路，其特征在于：所述ESD保護電路集成于集成芯片內部直接與集成芯片焊盤連接實現保護。

9.根據權利要求8所述的新型ESD保護電路，其特征在于：所述集成芯片內設置多個ESD保護電路，各ESD保護電路分別與集成芯片各焊盤連接實現保護。