[實用新型]用于高溫爐的排氣管道和高溫爐

有效

• 申請號: 201020664208.0
• 申請日: 2010-12-16
• 公開（公告）號: CN201915142U
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 楊志平
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及集成電路工藝裝置，特別涉及一種用于高溫爐的排氣管道和高溫爐。

背景技術

在集成電路制造工藝中，在晶圓上沉積氮化硅(Si₃N₄)是非常常見的工藝，通常是從裝載區將晶圓裝片送入高溫爐中進行氮化硅沉積。具體地，將晶圓從裝載區裝片送入高溫爐后，將高溫爐密封；接著，向高溫爐中通入NH₃和SiH₂Cl₂的混合氣體，這兩種氣體在高溫下反應，從而在晶圓上沉積一層氮化硅。

NH₃和SiH₂Cl₂氣體在高溫爐中反應，除了生成所需的氮化硅之外，還會生成中間產物HCl，整個反應的化學反應式為：

NH₃+SiH₂Cl₂→Si₃N₄+HCl

而中間產物HCl將繼續與NH₃反應，生成氯化銨(NH₄Cl)氣體，其化學反應式為：

HCl+NH₃→NH₄Cl

氯化銨氣體作為氮化硅沉積工藝時的附加產物，將通過排氣管道排出高溫爐。

具體請參考圖1，其為現有的高溫爐的示意圖。如圖1所示，高溫爐1包括高溫腔室10和與高溫腔室10連通的排氣管道11，所述排氣管道11用于排出高溫腔室10內的氯化銨氣體。其中，所述排氣管道11的長度通常為120cm～180cm，所述排氣管道11的內徑通常為10cm～15cm。

對于現有的高溫爐1，通過排氣管道11將氯化銨氣體排出高溫腔室10時，氯化銨氣體往往在排氣管道11后段時，由于溫度降低，由氯化銨氣體變成了氯化銨固體，并部分沉積在排氣管道11內。特別是氯化銨氣體排出高溫腔室10進入排氣管道11的80cm～120cm后的30cm～50cm一段，由于管道溫度降得更低了，因此，氯化銨氣體變成固體從而積聚在排氣管道11的情況更為嚴重，從而極易將排氣管道11堵塞。由此，需要經常更換和清洗排氣管道11，降低了生產效率，提高了生產成本。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種用于高溫爐的排氣管道和高溫爐，以解決現有的排氣管道需要經常更換和清洗，降低了生產效率，提高生產成本的問題。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種用于高溫爐的排氣管道，所述高溫爐包括一高溫腔室所述排氣管道包括第一管道和第二管道，所述第一管道與高溫腔室連通，所述第二管道與第一管道連通，所述第二管道的內徑大于第一管道的內徑。

可選的，在所述的用于高溫爐的排氣管道中，所述第二管道的最大內徑為15cm～30cm，所述第一管道的內徑為10cm～15cm。

可選的，在所述的用于高溫爐的排氣管道中，所述第二管道的形狀為漏斗狀。

可選的，在所述的用于高溫爐的排氣管道中，所述排氣管道還包括與第二管道連通的第三管道，所述第三管道的內徑與第一管道相同。

本實用新型還提供一種高溫爐，包括高溫腔室和排氣管道，所述排氣管道包括第一管道和第二管道，所述第一管道與高溫腔室連通，所述第二管道與第一管道連通，所述第二管道的內徑大于第一管道的內徑。

可選的，在所述的高溫爐中，所述第二管道的最大內徑為15cm～30cm，所述第一管道的內徑為10cm～15cm。

可選的，在所述的高溫爐中，所述第二管道的形狀為漏斗形。

可選的，在所述的高溫爐中，所述第二管道的長度為30cm～50cm，所述第一管道的長度為80cm～120cm。

可選的，在所述的高溫爐中，，所述排氣管道還包括與第二管道連通的第三管道，所述第三管道的內徑與第一管道相同。

本實用新型提供一種用于高溫爐的排氣管道，所述排氣管道包括第一管道和第二管道，所述第二管道的的內徑大于第一管道的內徑，本實用新型通過使第二管道的內徑擴大，在排氣管道增加成本最少的前提下，使得排氣管道可承載雜質的空間加大，從而降低了排氣管道的更換和清洗頻率，提高了生產效率，降低了生產成本。

附圖說明

圖1是現有的高溫爐的示意圖；

圖2是本實用新型實施例一的用于高溫爐的排氣管道的示意圖；

圖3是本實用新型實施例二的用于高溫爐的排氣管道的示意圖；

圖4是本實用新型實施例三的高溫爐的示意圖。

具體實施方式