[實用新型]研磨墊調節器的處理面結構

有效

• 申請號: 201020643430.2
• 申請日: 2010-12-01
• 公開（公告）號: CN201979394U
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 黃煌南;李政芳
• 申請（專利權）人: 黃煌南;李政芳
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

技術領域

本實用新型涉及一種化學機械研磨墊，特別是關于一種研磨墊調節器的處理面結構。

背景技術

隨著時代的求新演進，以及高科技電子消費市場的競爭，直接牽動所有晶圓制程設計朝高密度化處理，所有晶圓制程都面臨了高度的挑戰。

其中，乃是因為晶片的集成電路隨著線幅不斷細小化，而產生對晶圓制程面的平坦化(Planarization)的強烈需求，為解決微影制程中的高低差所產生的聚焦困難問題，故利用一般常見的化學性機械研磨法(Chemical?Mechanical?Polishing，CMP)來達成，其主要的消耗性材料包括一研磨墊、一研磨液及一研磨墊調節器(pad?conditioner)，而該研磨墊和該研磨墊調節器間的交互作用是個復雜的過程，對CMP的技術成本上有著重要的影響，但該研磨墊和該研磨墊調節器的相應配合上，又一直有著合格率與制程速度的問題尚待解決。

由此可知，目前所使用的研磨墊調節器產品似乎無法滿足該研磨墊的穩定性需求。其緣由乃因為傳統研磨墊調節器的制造方法，大多無法確保該研磨墊調節器的實際處理面上的尖端是否符合處理CMP制程的需求，反倒是鉆研于如何平整排列該研磨墊調節器的處理面的尖端導向，肇因該研磨盤調節器的處理面上分布有數萬只不等向刀口面體的超硬磨粒(如天然鉆石、人工鉆石、氮化硼、碳化硅、陶瓷等)，而無法確保所述的這些磨粒的尖端所形成的處理面，以及處理深度的適用寬度的范圍，因此，在進行平坦化的處理過程中，因該研磨墊調節器的處理面的刀口過大，容易造成該研磨墊表面上的嚴重刮傷及重復性破壞，為最大且不穩定的致命傷。

因此，有鑒于上述缺失，本實用新型提供一種研磨墊調節器的處理面結構，于一處理面上形成有高低位置不同的一第一研磨區及一第二研磨區，且將該第一研磨區內的第一磨粒及該第二研磨區內的第二磨粒，有效確實地劃分為等向或不等向的正尖銳端、斜尖銳端、正刀口面、斜刀口面及曲型面等，且其高低差約50微米內，而能滿足CMP化學機械應用于各種研磨條件下的需求，利用該調節器的處理面將該研磨墊的表面作更細致粗糙的活化處理功能。

發明內容

本實用新型的一目的，旨在提供一種具有高低差處理面的研磨墊調節器的處理面結構，能在進行化學機械研磨時會有更好的研磨速率及平整性，以獲得細致的表面處理效果。

為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案是：

一種研磨墊調節器的處理面結構，其特征在于，包括：

一外框，其內部具有一容置空間；

一底材，設于該外框內；

一固著層，設于該外框內而包覆該底材；

一第一研磨區，由復數個第一磨粒均勻分布形成于該固著層表面；及

復數個第二研磨區，由復數個第二磨粒均勻分布形成于該固著層表面，所述的這些第二研磨區等分分布于該固著層表面，所述的這些第二研磨區內的所述的這些第二磨粒的尖端高度高于該第一研磨區的所述的這些第一磨粒的尖端高度。

其中：該第一研磨區的所述的這些第一磨粒及該第二研磨區的所述的這些第二磨粒以壓著方式設置該固著層表面，且呈現具有規則性的凸面狀態。

其中：該第一研磨區的所述的這些第一磨粒及該第二研磨區的所述的這些第二磨粒以壓著方式設置該固著層表面，且呈現不具規則性的凸面狀態。

其中：所述的這些第一研磨區的所述的這些第一磨粒及該第二研磨區所使用的所述的這些第二磨粒的材質選自天然鉆石、人工鉆石、氮化硼、碳化硅或陶瓷。

其中：該固著層與所述的這些第一磨粒及所述的這些第二磨粒間的粘結方式，選自粘著、硬焊、燒結或電鍍。

與現有技術相比較，采用上述技術方案的本實用新型具有的優點在于：本實用新型的研磨墊調節器利用該第二研磨區所產生的高低處理面，且所述的這些研磨區的磨粒尖端深度的起伏幅度被限制在0～70微米的范圍內，尤以50微米為其較佳范圍，而可使該研磨墊的處理面形成較為細致的粗糙度。以在化學機械研磨制程時會有最佳的應用，進而獲得更快的研磨速率與平整性，并在微刮傷最少的穩定狀態下獲得細致的研磨表面。

附圖說明

圖1是對應本實用新型較佳實施例的制造流程圖；

圖2～圖10是本實用新型較佳實施例中對應各步驟的狀態示意圖；

圖11是本實用新型較佳實施例的結構示意圖；

圖12是本實用新型較佳實施例中不同研磨區的配置示意圖(一)；

圖13是本實用新型較佳實施例中不同研磨區的配置示意圖(二)。