[實用新型]硅片傳輸翻轉架無效
| 申請號: | 201020628368.X | 申請日: | 2010-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN201946619U | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發明(設計)人: | 季九江;蔡希松;黎慧華 | 申請(專利權)人: | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 周祥生 |
| 地址: | 213200 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 傳輸 翻轉 | ||
技術領域:
本實用新型涉及太陽能電池片印刷機的硅片傳輸裝置,尤其涉及太陽能電池片印刷機的硅片傳輸翻片裝置。
背景技術:
太陽能電池片的印刷主要分為三個步驟,首先是對背面電極的印刷,其次是背面電場的印刷,第三是將硅片翻面后印刷正面電極。在太陽能電池片印刷機中,電池片都使用全自動傳輸機構來傳送,在傳輸機構中必須設置自動翻片裝置,當電池完成背面電極印刷和電場印刷后必須將硅片翻面,才能印刷正電極。傳統的自動翻片裝置有兩種形式,一種為轉盤式翻片裝置,即使用一圓形轉盤結構進行翻片,硅片背面向上進入轉盤結構,隨著轉盤的轉動180°,硅片被轉至正面向上;另一種為抓手式翻片裝置,帶有吸盤的可旋轉抓手置于硅片下方,硅片背面向上被傳送至抓手上方,抓手使用吸盤吸附硅片后,沿垂直方向旋轉180°,將硅片轉至正面向上,然后松開硅片,抓手再回到原始位置等待下一硅片。
以上兩種翻片裝置均有其局限性,轉盤式翻片裝置只能夠對硅片進行翻轉,如遇特殊情況需要使硅片直接通過,則會受到翻片裝置的阻礙;抓手式翻片裝置雖然可以選擇是否翻轉硅片,但是,它每翻轉一片硅片,均需要將抓手空轉回原位,這樣既消耗了能源,也對傳輸速度產生了限制。
為了克服現有太陽能電池片印刷機中硅片傳輸翻片裝置存在的上述不足,申請人實用新型了一種太陽能電池印刷機中硅片傳輸翻轉裝置,它既能實現對翻轉/不翻轉模式的選擇,又不存在回程空轉,提高了輸片速度,既增強了印刷翻轉可選性,又降低了能源消耗。在這種太陽能電池印刷機中硅片傳輸翻轉裝置中,硅片傳輸翻轉架是其中的關鍵部件。
實用新型內容:
本實用新型的目的是為太陽能電池印刷機提供一種硅片傳輸翻轉架。
所述硅片傳輸翻轉架,包括左轉軸、矩形框架、上U形托架、下U形托架和右轉軸,左轉軸和右轉軸分別固定在矩形框架的兩端,且左轉軸和右轉軸的軸線與矩形框架上下長邊的對稱線重合,上U形托架固定在矩形框架的上長邊的上端面上,下U形托架固定在矩形框架的下長邊的下端面上,沿左轉軸的軸向看,上U形托架和下U形托架分別位于矩形框架的右側和左側,上U形托架和下U形托架相互平行,三者呈“Z”形分布,矩形框架的內擋長度尺寸大于電池片的最大尺寸,矩形框架的內擋寬度尺寸為5mm~10mm,左轉軸、矩形框架、上U形托架、下U形托架和右轉軸均為空心結構,且相互通連,在上U形托架的下端面上設有吸盤,且吸盤的吸口略高于旋轉軸線;在下U形托架的上端面上設有吸盤,且吸盤的吸口略低于旋轉軸線。
進一步,所述矩形框架的內擋長度尺寸為200mm~210mm,矩形框架的內擋寬度尺寸為5mm~10mm,安裝在上U形托架下端面上的吸盤的吸口到旋轉軸線的距離為2mm~3mm;安裝在下U形托架上端面上的吸盤的吸口到旋轉軸線的距離為2mm~3mm。
本實用新型的有益效果是:有了這種硅片傳輸翻轉架,就能為太陽能電池印刷機中提供一種不存在無回程空轉,且具有翻片與不翻片選擇的硅片傳輸翻轉裝置,既能對電池片進行無回程連續翻轉,又能使硅片傳輸翻轉裝置具備翻轉與不翻轉模式的選擇,既克服了轉盤式翻片裝置必須翻轉的缺陷,又克服了抓手式翻片裝置中存在回程空轉的缺陷,增強了翻片機構的靈活性,消除了對傳輸速度的限制,同時降低了能源消耗。
附圖說明:
圖1、圖2為本實用新型的結構示意圖;
圖2為圖1的左視圖;
圖3、圖4、圖5為裝有本實用新型的硅片傳輸翻轉裝置的結構示意圖;
圖3是圖4中的A-A剖視圖;
圖4是圖3的俯視圖;
圖5是圖3的左視圖;
圖6為步進電機、位置傳感器、真空吸附回路與電控部件的電連接示意圖;
圖7為真空吸附回路的工作原理圖。
圖中:1-步進電機;2-翻轉架;3-吸盤;4-軸承座;5-真空分配器;6-傳感器;7-真空吸附回路;8-電控部件;9-傳送帶;21-左轉軸;22-矩形框架;23-上U形托架;24-下U形托架;25-右轉軸;71-真空發生器;72-減壓閥;73-節流閥;74-換向閥;75-過濾器;76-真空開關。
具體實施方式:
下面結合附圖說明本實用新型的具體實施方式:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





