[實(shí)用新型]低壓軌至軌運(yùn)算放大電路無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020570122.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-10-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201813350U | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-04-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃海云;應(yīng)智花 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H03F3/45 | 分類號(hào): | H03F3/45 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 杜軍 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低壓 軌至軌 運(yùn)算 放大 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于無(wú)線通信領(lǐng)域,涉及一種低壓軌至軌運(yùn)算放大電路,主要應(yīng)用于室內(nèi)無(wú)繩電話、蜂窩式移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理、便攜式音響系統(tǒng)、電池監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、以電池供電的便攜式電子設(shè)備等。
技術(shù)背景
近幾年來(lái)移動(dòng)電話,個(gè)人數(shù)字助理,便攜式電子測(cè)量?jī)x器等以電池供電的電子產(chǎn)品得到廣泛的使用,迫切要求我們采用低電壓、低功耗的電路來(lái)減少電池個(gè)數(shù),延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。我們知道一個(gè)電路系統(tǒng)的總功耗近似等于電容充放電引起的開(kāi)關(guān)功耗NCeqV2DD,靜態(tài)電流功耗IDDVDD和瞬間短路電流功耗IshortVDD之和,可以知道電路的功耗直接和電源電壓成正比,因此只有降低電源電壓才能大幅度的降低電路的功耗。盡管降低電源電壓可能造成電路頻帶寬度和電壓擺幅一定程度的減少,但這一點(diǎn)可以通過(guò)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)克服。降低電源電壓帶來(lái)的另一個(gè)好處是減少了電路正常工作所需電池個(gè)數(shù),也就減小了電子產(chǎn)品的體積,使它們更便于攜帶。此外降低電源電壓也使晶體管所承受的耐壓降低,增加了電路的穩(wěn)定性。然而我們知道一個(gè)電子產(chǎn)品總包括模擬電路部分和數(shù)字電路部分,數(shù)字電路的工作電壓要求低,功耗較小,而模擬電路對(duì)電源電壓的要求比數(shù)字電路高,功耗也比數(shù)字電路大。因此為了降低電路的功耗,實(shí)現(xiàn)模擬和數(shù)字電路都能工作在低電壓下就很有必要設(shè)計(jì)出適應(yīng)低電壓的模擬電路。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是為了克服已有技術(shù)的不足之處,提出一種低壓軌至軌運(yùn)算放大電路。
本實(shí)用新型包括三個(gè)電阻、三個(gè)電容、19個(gè)P型MOS管和17個(gè)N型MOS管,具體是:
第一P型MOS管P1的漏極與偏置電阻R1的一端連接,第一N型MOS管N1的源極和柵極以及第四N型MOS管N4的柵極與第二P型MOS管P2的漏極連接,第三P型MOS管P3的柵極和漏極與分壓電阻R2的一端連接;第四P型MOS管P4的漏極和柵極以及第五P型MOS管P5的柵極與第三P型MOS管P3的源極連接,第四N型MOS管N4的源極、第五N型MOS管N5的漏極和第六N型MOS管N6的漏極與分壓電阻R2的另一端連接;第三N型MOS管N3的柵極和源極、第二N型MOS管N2的柵極、第五N型MOS管N5的柵極和第六P型MOS管P6的源極連接,第五P型MOS管P5的漏極、第六P型MOS管P6的漏極、第六N型MOS管N6的柵極和第七P型MOS管P7的源極連接,第六P型MOS管P6的柵極與差分信號(hào)輸入端的負(fù)端Vin-連接,第七P型MOS管P7的柵極與差分信號(hào)輸入端的正端Vin+連接;第二N型MOS管N2的源極、第六N型MOS管N6的源極、第九P型MOS管P9的源極和第十一P型MOS管P11的漏極連接;第八P型MOS管P8的源極、第十P型MOS管P10的漏極、第五N型MOS管N5的源極和第八N型MOS管N8的源極連接;第七N型MOS管N7的柵極和源極以及第八N型MOS管N8的柵極與第七P型MOS管P7的漏極連接,第九N型MOS管N9的柵極和源極以及第十N型MOS管N10的柵極與第八P型MOS管P8的漏極連接;第十N型MOS管N10的源極、第十一N型MOS管N11的珊極、第九P型MOS管P9的漏極和第十二P型MOS管P12的漏極與第二濾波電容C2的一端連接,第十三N型MOS管N13的源極、第十四N型MOS管N14的源極、十六P型MOS管P16的漏極、十七P型MOS管P17的漏極以及負(fù)載電容C3的一端和負(fù)載電阻R3的一端與第二濾波電容C2的另一端連接,負(fù)載電容C3的另一端和負(fù)載電阻R3的另一端接地;第十一N型MOS管N11的源極、第十三P型MOS管P13的漏極、第十四P型MOS管P14的珊極和第十八P型MOS管P18的珊極與第一濾波電容C1的一端連接,第一濾波電容C1的另一端與第十二P型MOS管P12的源極連接;第十五P型MOS管P15的漏極和柵極、第十四P型MOS管P14的漏極、第十六P型MOS管P16的柵極、第十二N型MOS管N12的源極和第十三N型MOS管N13的珊極連接;第十五N型MOS管N15的源極和柵極、第十四N型MOS管N14的柵極、第十六N型MOS管N16的源極、第十七P型MOS管P17的珊極和第十八P型MOS管P18的漏極連接,第十六N型MOS管N16的珊極和第十七N型MOS管N17的珊極與第十二N型MOS管N12的珊極連接,第十七N型MOS管N17的源極與十九P型MOS管P19的漏極連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于杭州電子科技大學(xué),未經(jīng)杭州電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201020570122.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種三通自動(dòng)換向閥
- 下一篇:幅度均衡電路





