[實(shí)用新型]晶舟有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020564748.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-10-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201845746U | 公開(公告)日: | 2011-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張明華;蔣莉;黎銘琦;白英英 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/673 | 分類號(hào): | H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶舟 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造裝置技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種晶舟。
背景技術(shù)
通常來說,在半導(dǎo)體集成電路的生產(chǎn)制造過程中,為確保半導(dǎo)體晶片的安全儲(chǔ)存、搬移,避免破損和污染,廣泛運(yùn)用晶舟作為晶片的承載及運(yùn)輸工具。
關(guān)于現(xiàn)有的晶舟,請(qǐng)參考圖1A至圖1C,其中,圖1A為現(xiàn)有的晶舟的正視圖,圖1B為圖1A沿A-A方向的剖視圖,圖1C為圖1A示意的現(xiàn)有的晶舟裝有晶片后沿A-A方向的剖視圖,如圖1A至圖1C所示,現(xiàn)有的晶舟包括盒體101,所述盒體101兩側(cè)設(shè)置有相對(duì)的擋板102,晶片200放置于所述擋板102上。且現(xiàn)有的擋板102的寬度x通常為5mm左右。由于在傳統(tǒng)的二維集成電路中,晶片的直徑一般為幾百毫米,其厚度一般大于300微米,因此現(xiàn)有的晶舟能滿足安全存儲(chǔ)晶片的要求。
然而,當(dāng)集成電路進(jìn)入到三維(3D)集成階段時(shí),將出現(xiàn)超薄晶片,從而使得現(xiàn)有的晶舟不能滿足安全存儲(chǔ)的要求。所謂3D集成電路是指器件做在不同的晶片上,再通過穿透硅通孔(TSV,Through?Silicon?Via)將這些晶片在Z方向進(jìn)行連接。在3D集成電路中,通常都會(huì)對(duì)晶片進(jìn)行減薄,以使穿透硅通孔穿通整個(gè)晶片,從而出現(xiàn)了厚度小于50μm的超薄晶片。由于超薄晶片極易彎折,而現(xiàn)有的擋板的寬度通常只有5mm左右,若采用現(xiàn)有的晶舟運(yùn)載超薄晶片,超薄晶片將極易滑落,從而導(dǎo)致超薄晶片變形,甚至破裂。
因此,有必要提供一種改進(jìn)的晶舟,使其能安全有效地存儲(chǔ)及運(yùn)載超薄晶片。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶舟,以解決現(xiàn)有的晶舟不能安全有效地存儲(chǔ)及運(yùn)載超薄晶片的問題。
為解決上述問題,本實(shí)用新型提出一種晶舟,用于裝載晶片,所述晶舟包括盒體,所述盒體兩側(cè)具有相對(duì)的擋板,其特征在于,所述盒體內(nèi)還設(shè)置有支撐板,所述支撐板與所述擋板平行,且位于同一平面。
可選的,所述擋板的寬度為5~150mm。
可選的,所述支撐板位于所述盒體兩側(cè)相對(duì)擋板的正中間。
可選的,所述支撐板的長度大于所述晶片的半徑。
可選的,所述支撐板的長度為100~300mm。
可選的,所述支撐板的寬度為1~200mm。
可選的,所述支撐板的材料為塑料或金屬。
本實(shí)用新型由于采用以上的技術(shù)方案,使之與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果:
1、本實(shí)用新型提供的晶舟包括支撐板,所述支撐板對(duì)擋板上的超薄晶片起支撐作用,可防止超薄晶片變形滑落受損;
2、本實(shí)用新型提供的晶舟中的擋板的寬度為5~150mm,大于現(xiàn)有的晶舟中的擋板的寬度,從而可進(jìn)一步防止超薄晶片滑落受損。
附圖說明
圖1A為現(xiàn)有的晶舟的正視圖;
圖1B為圖1A沿A-A方向的剖視圖;
圖1C為圖1A示意的現(xiàn)有的晶舟裝有晶片后沿A-A方向的剖視圖;
圖2A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶舟的正視圖;
圖2B為圖2A沿B-B方向的剖視圖;
圖2C為圖2A示意的本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶舟裝有晶片后沿B-B方向的剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的晶舟作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率,僅用于方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
本實(shí)用新型的核心思想在于,提供一種晶舟,用于裝載超薄晶片,所述晶舟包括盒體,所述盒體兩側(cè)具有相對(duì)的擋板,所述超薄晶片位于所述擋板上,所述盒體內(nèi)還設(shè)置有支撐板,所述支撐板支撐所述超薄晶片,防止所述超薄晶片變形,并且所述擋板的寬度大于現(xiàn)有的晶舟中的擋板的寬度,從而使得超薄晶片不易滑落受損,可安全有效地存儲(chǔ)及運(yùn)載超薄晶片。
請(qǐng)參考圖2A至圖2C,其中,圖2A為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶舟的正視圖,圖2B為圖2A沿B-B方向的剖視圖,圖2C為圖2A示意的本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶舟裝有晶片后沿B-B方向的剖視圖,如圖2A至圖2C所示,本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶舟包括盒體201,所述盒體201兩側(cè)具有相對(duì)的擋板202,超薄晶片300放置于所述擋板202上,所述盒體201內(nèi)還設(shè)置有支撐板203,所述支撐板203與所述擋板202平行,且位于同一平面。
進(jìn)一步地,所述擋板202的寬度y為5~150mm,從而可更大面積地與所述超薄晶片300接觸,防止超薄晶片300滑落。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





