[實用新型]硅片制絨專用承載裝置無效
| 申請號: | 201020504806.1 | 申請日: | 2010-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN201788991U | 公開(公告)日: | 2011-04-06 |
| 發明(設計)人: | 屈瑩;劉志剛 | 申請(專利權)人: | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 周祥生 |
| 地址: | 213200 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 專用 承載 裝置 | ||
技術領域:
本實用新型涉及太陽能電池生產過程中使用的一種硅片存放容器,尤其涉及硅片制絨生產過程使用的一種硅片承載裝置。
背景技術:
在太陽能電池的制絨生產過程中,必須使用硅片承載器,俗稱小花籃,將硅片逐塊放入硅片承載器中,然后依次經過NaOH溶液、HCl溶液、HF溶液和清水對硅片進行清洗,最后還要放入甩干機中甩干。目前,所使用的硅片承載器為柵板式結構,如圖1所示,它由左柵板1、右柵板2、前擋板3和后擋板4圍合而成,左柵板1和右柵板2結構相同,在左柵板1和右柵板2的上端固定有上托架5,在其內側面下端設有下托架6,在左柵板1和右柵板2的內側壁上等間距地豎直設有硅片插槽,在左柵板1和右柵板2的外側壁上設有水平設置的硅片限位桿,其目的是防止硅片在甩干操作時產生硅片斜卡現象。這種結構的硅片承載器在實際使用過程中存在如下缺點:
第一,在大批量的硅片生產過程中,硅片的尺寸總存在誤差,一般為0.1~0.3毫米,硅片放在這種柵板式硅片承載器中在制絨、甩干等工序操作過程中,時常會傾斜卡在硅片承載器的硅片插槽中,當硅片承載器經過高溫后快速冷卻時會產生收縮,從而導致硅片破裂。
第二,硅片在制絨過程中,由于硅片的左右兩邊都要側插入左右柵板的硅片插槽中,這種插入式結構增大了硅片與柵板上隔離槽的接觸面積,硅片經過制絨后在左右兩側邊制絨不均勻,這不僅影響電池片的光電轉換效率,而且還影響電池片的外觀質量。
實用新型內容:
本實用新型的目的是提供一種硅片制絨專用承載裝置。它既能有效克服硅片在柵板硅片插槽中因尺寸波動引起的轉卡現象,最大限度地減少硅片在制絨生產過程中的碎片率,又能解決硅片左右兩側邊的制絨不均問題。
本實用新型采取的技術方案是:
一種硅片制絨專用承載裝置,它由左柵板、右柵板、前擋板和后擋板圍合而成,在左柵板和右柵板的上端對稱地安裝有上托架,在左柵板和右柵板的內側面的下端固定有下托架;左柵板與右柵板的結構相同,在左柵板右柵板的內側壁上豎直地開設有硅片插槽,在上托架和下托架上都設有硅片插槽,且上托架和下托架上設有的硅片插槽與柵板上設有的硅片插槽相對應,其特征是,所述右柵板由上框桿、左側桿、右側桿、隔槽板和下框桿組成,上框桿、左側桿、右側桿和下框桿牢固地連接成一個柵板框,隔槽板平行于左側桿和右側桿,并分布在柵板框內,在右柵板上形成等間距豎直分布的硅片插槽;在左側桿、右側桿和隔槽板上都設有透液孔,沿高度方向設有硅片限位桿孔,在硅片限位桿孔中穿插有限位桿。
進一步,在每一組硅片插槽中至少設有一只彈性壓片,彈性壓片套裝在限位桿上,在硅片插槽中插有硅片時,彈性壓片壓迫硅片的側面。
進一步,在每一組硅片插槽中,按豎直方向設有兩只彈性壓片,且位于同一側。
由于在左柵板和右柵板上增設了透液孔,硅片插在硅片插槽中,制絨液能夠從透液孔中與硅片接觸,確保處于硅片插槽中的硅片能進行正常的制絨,從而提高了整個硅片的制絨效果的一致性。
由于在左柵板和右柵板上增設了限制硅片的限位桿,使處于硅片插槽中的硅片既不能左右平移,也不能轉動。這樣,硅片在硅片插槽中的六個自由度就被限定,能確保在制絨、清洗、甩干工藝操作過程中硅片不會傾斜卡在硅片插槽中,從結構上消除了導致硅片破裂產生的原因。
附圖說明:
圖1為現有硅片承載器的結構示意圖;
圖2為本實用新型中右柵板的結構示意圖;
圖3為圖2的A-A剖視圖;
圖4為圖2中B-B剖視圖;
圖5為實施例1的結構示意圖;
圖6為實施例2的結構示意圖;
圖中:1-左柵板;2-右柵板;3-前擋板;4-后擋板;5-上托架;6-下托架;7-硅片插槽;8-限位桿;9-彈性壓片;10-硅片;21-上框桿;22-左側桿;23-右側桿;24-隔槽板;25-下框桿;26-透液孔;27-限位桿孔。
具體實施方案:
下面結合附圖說明本實用新型的具體實施方式:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





