[實(shí)用新型]并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020244276.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-06-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201691927U | 公開(公告)日: | 2011-01-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 薛蓉;朱華彬;李艷霞;馬昊立;左真濤;卓彥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院生物物理研究所 |
| 主分類號(hào): | A61B5/055 | 分類號(hào): | A61B5/055 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐寧;關(guān)暢 |
| 地址: | 100101*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 并行 發(fā)射 接收 射頻 接口 電路 相控陣 線圈 | ||
1.一種并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述相控陣發(fā)射接收頭線圈包括兩端通透的一內(nèi)殼和一外殼,所述內(nèi)殼和外殼對(duì)應(yīng)測試者眼部的位置均開設(shè)有一全開的視窗,所述內(nèi)殼的外表面上設(shè)置有上、下兩圈共八個(gè)相控陣表面回路,其中一個(gè)所述相控陣表面回路圍繞所述視窗設(shè)置;
所述并行發(fā)射接收射頻接口電路包括一功分器,將輸入的單通道射頻信號(hào)分成八路射頻信號(hào);所述功分器連接八個(gè)移相器,每一所述移相器將輸入的每一路射頻信號(hào)進(jìn)行線性相移,經(jīng)相移后的每一路射頻信號(hào)通過一發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開關(guān)的輸入/輸出端發(fā)射至所述相控陣發(fā)射接收頭線圈上的八個(gè)相控陣表面回路,使每圈中相鄰所述兩相控陣表面回路之間的相移差為定值,上、下兩圈對(duì)應(yīng)的所述兩相控陣表面回路之間射頻信號(hào)的相位差為定值;所述八個(gè)相控陣表面回路發(fā)射射頻信號(hào)并接受人體氫原子產(chǎn)生八路磁共振信號(hào),所述八路磁共振信號(hào)分別通過每一所述發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開關(guān)的輸入/輸出端輸入一前置放大器;每一所述發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開關(guān)的控制端均連接掃描儀的控制系統(tǒng),以接收所述控制系統(tǒng)輸出的發(fā)射或接收的切換控制指令。
2.如權(quán)利要求1所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述移相器為同軸電纜,所述同軸電纜的長度決定所述移相器的相移量。
3.如權(quán)利要求2所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:每圈中相鄰所述兩相控陣表面回路之間的相移差為90°,上、下兩圈對(duì)應(yīng)的所述兩相控陣表面回路之間射頻信號(hào)的相位差為180°。
4.如權(quán)利要求1所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述內(nèi)殼的外表面上的其中三對(duì)所述上、下相控陣表面回路為對(duì)稱設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述并行發(fā)射接收射頻接口電路還包括連接在每一所述移相器與發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開關(guān)之間的、調(diào)節(jié)各路射頻信號(hào)幅值用的八個(gè)衰減器。
6.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述相控陣發(fā)射接收頭線圈上每一所述相控陣表面回路包括三固定電容、三可調(diào)電容和電感,其中的三固定電容、二可調(diào)電容和電感串聯(lián)成一諧振回路。
7.如權(quán)利要求5所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述相控陣發(fā)射接收頭線圈上每一所述相控陣表面回路包括三固定電容、三可調(diào)電容和電感,其中的三固定電容、二可調(diào)電容和電感串聯(lián)成一諧振回路。
8.如權(quán)利要求6所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述諧振回路中的一可調(diào)電容的兩端通過另一所述可調(diào)電容連接所述射頻接口電路中的發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開關(guān);所述固定電容為無磁耐高壓固定電容,所述可調(diào)電容為無磁耐高壓可調(diào)電容;所述相控陣表面回路中電感由四段銅皮構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求7所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述諧振回路中的一可調(diào)電容的兩端通過另一所述可調(diào)電容連接所述射頻接口電路中的發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開關(guān);所述固定電容為無磁耐高壓固定電容,所述可調(diào)電容為無磁耐高壓可調(diào)電容;所述相控陣表面回路中電感由四段銅皮構(gòu)成。
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