[實用新型]雙面同時靜電封接的結構型力敏傳感器

無效

• 申請號: 201020231290.8
• 申請日: 2010-06-22
• 公開（公告）號: CN201740612U
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 李穎;張治國;劉沁;張娜
• 申請（專利權）人: 沈陽儀表科學研究院
• 主分類號: G01L1/14
• 分類號: G01L1/14;B81B3/00
• 代理公司: 沈陽科威專利代理有限責任公司 21101
• 代理人: 崔紅梅

1.雙面同時靜電封接的結構型力敏傳感器，由玻璃-硅-玻璃極板組成差動層疊結構，硅中心極板采用雙面拋光硅片，固定極板采用拋光玻璃，采用硅微機械加工技術制作，包括采用濺射工藝、光刻腐蝕工藝，壓焊工藝、靜電封接工藝，其特征是上、下玻璃極板和硅中心極板上都有圖形結構和壓焊點，上、下玻璃極板通過壓焊點上的電極引線同時接電源負極，硅中心極板通過壓焊點上的電極引線與直流電源正電極連接，在封接條件下實現玻璃-硅-玻璃層疊結構的雙面同時靜電封接。

2.根據權利要求1所述的雙面同時靜電封接的結構型力敏傳感器，其特征在于硅電容差壓傳感器的層疊結構：由上至下疊放的次序為上玻璃(2a)、硅中心極板(1)、下玻璃(2b)，硅材料(1)上的可動島(4)與上玻璃(2a)、下玻璃(2b)上的金屬電極層(5)相互對準，上、下玻璃極板和硅中心極板上都有圖形結構和壓焊點，上、下玻璃極板(2a、2b)通過壓焊點上的電極引線同時接電源負極，硅中心極板通過壓焊點上的電極引線(7)與電源正電極連接，

3.根據權利要求2所述的雙面同時靜電封接的結構型力敏傳感器，其特征在于硅電容差壓傳感器的上玻璃(2a)、下玻璃(2b)平面中心有孔(e)，上、下面及孔的側壁均有濺射工藝形成的金屬電極層(5)，孔(e)側壁的金屬導電層相當于金屬連線(8)，將金屬電極層(5)端引出作為封接電壓的電極引線。

4.根據權利要求2所述的雙面同時靜電封接的結構型力敏傳感器，其特征在于硅電容差壓傳感器還可以由壓焊在電極層(5)上的硅鋁絲作為上玻璃(2a)、下玻璃(2b)封接電壓的電極引入線同時接封接電壓的負極。

5.根據權利要求2所述的雙面同時靜電封接的結構型力敏傳感器，其特征在于硅電容差壓傳感器中也可以直接在上玻璃(2a)、下玻璃(2b)上搭接金屬電極同時接封接電壓的負極。

6.一種雙面同時靜電封接的結構型傳感器，其特征在于硅電容加速度傳感器的層疊結構：由上至下疊放的次序為上玻璃(2c)、硅中心極板(1)、下玻璃(2d)、加熱板(3)，硅中心極板(1)上的可動島(4)與上玻璃(2c)、下玻璃(2d)上的金屬電極層(5)相互對準，硅中心極板(1)上的電極引線(7)和直流電壓的正極相接，在上玻璃(2c)上表面直接搭接金屬電極和直流電壓的負極相連，加熱板(3)連接到直流電壓的負電極，下玻璃(2b)通過導電的加熱板(3)也和直流電壓的負極相連，上玻璃(2c)、下玻璃(2d)極板同時接等電位并接直流電壓的負極。

7.根據權利要求6所述的雙面同時靜電封接的結構型力敏傳感器，其特征在于硅電容加速度傳感器的層疊結構：上玻璃(2c)也可以通過在其邊緣壓焊點(10)上采用壓焊工藝焊上一硅鋁絲作為封接電壓的電極引線(9)接封接電壓的負極。?

8.根據權利要求6所述的雙面同時靜電封接的硅電容加速度傳感器，其特征在于中心有一可動島(4)的硅中心極板(1)邊緣為封接面(12)，在封接面上的相應部位有槽(11)，可容納上玻璃(2c)、下玻璃(2d)上的金屬電極連線(8)，在硅中心極板(1)的封接面之外，有預先制作的壓焊點(6)和封接電壓的電極引線(7)。

9.根據權利要求6所述的雙面同時靜電封接的硅電容加速度傳感器，其特征在于上玻璃(2c)、下玻璃(2d)表面均有采用濺射、光刻工藝形成的金屬電極層(5)，再用光刻、腐蝕工藝將該電極層加工出與邊緣壓焊點(10)相連的金屬電極連線(8)。?