[實用新型]量子阱紅外探測器無效
| 申請號： | 201020187207.1 | 申請日： | 2010-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN201699035U | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發明（設計）人： | 劉燕君 | 申請（專利權）人： | 無錫沃浦光電傳感科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/101 | 分類號： | H01L31/101;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 上海碩力知識產權代理事務所 31251 | 代理人： | 王法男 |
| 地址： | 214122 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子 紅外探測器 | ||
【權利要求書】：
1.一種量子阱紅外探測器，包括：GaAs襯底層，在所述GaAs襯底層上通過分子束外延技術或金屬有機化學氣相沉積依次逐層生長的：
未摻雜的GaAs緩沖層；
n型摻雜的GaAs下電極層；
先勢壘后勢阱交替生長多個周期形成的多量子阱層；
AlxGa1-xAs勢壘層；
n型摻雜的GaAs上電極層；
其特征在于，所述的多量子阱層，每個周期包括一個AlxGa1-xAs勢壘層和一個GaAs勢阱層，所述AlxGa1-xAs勢壘層的厚度為所述GaAs勢阱層的厚度的15～20倍，所述的多量子阱層一個周期的厚度為80～120nm，所述的多量子阱層的周期數為15～20。
2.如權利要求1所述的量子阱紅外探測器，其特征在于，所述GaAs勢阱層進行n型摻雜，所摻雜質為硅，其摻雜濃度高于1×1018cm-3。
3.如權利要求1所述的量子阱紅外探測器，其特征在于，所述勢壘高度由AlxGa1-xAs中的Al組分x決定，x的范圍在0.1～0.5。
4.如權利要求1所述的量子阱紅外探測器，其特征在于，所述量子阱紅外探測器屬于束縛態到連續態或準連續態躍遷型量子阱紅外探測器。
5.如權利要求1所述的量子阱紅外探測器，其特征在于，所述量子阱紅外探測器采用表面光柵結構。
6.如權利要求1所述的量子阱紅外探測器，其特征在于，所述量子阱紅外探測器的工作溫度高于200K。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
