[實(shí)用新型]聚合物駐電薄膜無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020176815.2 | 申請日： | 2010-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN201765960U | 公開（公告）日： | 2011-03-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃雅夫;陳世揚(yáng);黃鐳迪 | 申請（專利權(quán)）人： | 群揚(yáng)材料工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01G7/02 | 分類號： | H01G7/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 聚合物 薄膜 | ||
1.一種聚合物駐電薄膜，包括一聚四氟乙烯薄膜與一電極層，其特征在于：
該電極層形成于該聚四氟乙烯薄膜的至少一個表面，該電極層的厚度介于0.1nm至300nm之間；以及
該聚四氟乙烯薄膜包含有一多孔層，該多孔層具有多孔狀結(jié)構(gòu)，孔徑介于0.01μm至5.0μm之間，且氣孔占積率介于20％至95％之間，且該聚四氟乙烯薄膜厚度介于1μm至50μm之間，且該聚合物駐電薄膜具有一表面電壓介于0.1V至1kV之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物駐電薄膜，其特征在于，該電極層的厚度為50nm至150nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物駐電薄膜，其特征在于，該表面電壓介于100V至1000V。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物駐電薄膜，其特征在于，該聚四氟乙烯薄膜進(jìn)一步包含有一高密度層，形成于該多孔層的一個表面，該高密度層的表面粗糙度Ra介于20nm至165nm之間，與水的接觸角度介于120度至135度之間，該高密度層的厚度為該聚四氟乙烯薄膜的厚度的0.04％至40％之間，且該電極層形成于該高密度層的表面。?
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