[實用新型]基準電壓產生電路有效
| 申請號: | 201020175314.2 | 申請日: | 2010-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN201804292U | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發明(設計)人: | 崔國鋒;白青剛;周軍 | 申請(專利權)人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F3/22 | 分類號: | G05F3/22 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518118 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基準 電壓 產生 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種電源電路,尤其涉及一種基準電壓產生電路。
背景技術
集成電路設計當中,芯片判斷從外界采集的信號是否處于正常狀態,通常采用外界信號和基準電壓進行比較的方式解決,這就要求產生一個與電源電壓、工藝參數、溫度無關的基準電壓。
目前基準電路電源種類很多,例如,齊納基準源、帶隙基準源、具有二階段補償的帶隙基準源等。請參閱圖1,圖1為現有的一種利用三極管和電阻串聯方式產生的基準電壓產生電路。其中,三極管Q1、Q2的基極分別與各自的集電極相連,三極管Q1、Q2的發射極接地,三極管Q1的集電極連接至運算放大器OP1的正向輸入端,三極管Q2的集電極通過電阻R0連接至運算放大器OP1的反相輸入端,電阻R1連接至運算放大器的正向輸入端和輸出端之間,電阻R2連接至運算放大器的反向輸入端和輸出端之間。
其中,假設三極管Q2與三極管Q1的導電區域面積比為n,其中n大于1,那么三極管Q1與三極管Q2分別所在的兩路支路的飽和電流之比IS1/IS2=1/n,設定R1=R2,根據運算放大器OP1虛短虛斷的特性,節點1和節點2的電壓相等,即V1=V2。那么根據三極管Q1和三極管Q2集電極電流IC1和IC2的計算公式:IC1=(VOUT-V1)/R1,IC2=(VOUT-V2)/R2,可知,IC1=IC2。
根據三極管發射極電流電壓的關系:
VBE=VT?ln(IC/IS),
VT=KT/q
IS=bT4+m·e-Eg/kT,
其中,n為三極管導電區的面積;VT為等效熱電壓;Eg為絕對0度下,半導體的禁帶寬度;IS為pn結反向飽和電流;K是BoltamanN常數;q是電荷量,b是一比例系數;m=-1.5。
對上述公式VBE=VTln(IC/IS)兩邊對溫度進行微分,得到VBE對溫度的微分:
由此上述公式可知VBE對溫度表現為負溫度系數,即VBE隨著溫度cm的升高而變小。
通過圖1中的電路結構,有如下計算公式,
ΔVBE=VBE1-VBE2=R0·Ic2
=VTln(IC1/IS1)-VTln(IC2/IS2)
=VTln?n
可得VBE差值表現為正溫度系數。
所以如圖1所示的基準電壓產生電路產生的輸出電壓
VOUT=IC2(R2+R0)+VBE2
=(VTln?n)(R0+R2)/R0+VBE2
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