[實(shí)用新型]碳化硅基復(fù)合襯底

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020168783.1
• 申請(qǐng)日: 2010-03-30
• 公開（公告）號(hào): CN201741712U
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施建江;楊少延;劉祥林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州海鯨光電科技有限公司;施建江
• 主分類號(hào): H01L33/12
• 分類號(hào): H01L33/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陶鳳波;屈玉華

1.一種用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的碳化硅基復(fù)合襯底，其特征在于，包含：

一碳化硅單晶基底；

一復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層，覆蓋在所述碳化硅單晶基底上，由多層氮化鈦單晶薄膜材料和多層氮化鋁單晶薄膜材料交替堆疊構(gòu)成；

一氮化鎵模板層，生長在所述復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層上，由氮化鎵單晶薄膜材料構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的碳化硅基復(fù)合襯底，其特征在于，所述復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層中每層氮化鈦單晶薄膜材料的厚度為5～30nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的碳化硅基復(fù)合襯底，其特征在于，所述復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層中每層所述氮化鋁單晶薄膜材料的厚度不小于每層所述氮化鈦單晶薄膜材料的厚度的3倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的碳化硅基復(fù)合襯底，其特征在于，在所述復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層中與所述碳化硅單晶基底接觸的層為所述氮化鈦單晶薄膜材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的碳化硅基復(fù)合襯底，其特征在于，在所述復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層中與所述氮化鎵模板層接觸的層為所述氮化鋁單晶薄膜材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的碳化硅基復(fù)合襯底，其特征在于，所述氮化鈦單晶薄膜材料的層數(shù)為1～10層，所述氮化鋁單晶薄膜材料的層數(shù)與所述氮化鈦單晶薄膜材料的層數(shù)相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的碳化硅基復(fù)合襯底，其特征在于，所述氮化鎵模板層的厚度不小于2μm。?