[實(shí)用新型]基于雙重銷毀技術(shù)的高保密固態(tài)硬盤產(chǎn)品

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020165052.1
• 申請(qǐng)日: 2010-04-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201707677U
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于紅旗;吳佳;徐欣;吳順平;畢雅潔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖南源科高新技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G06F21/02
• 分類號(hào): G06F21/02
• 代理公司: 湖南省國(guó)防科學(xué)技術(shù)工業(yè)辦公室專利中心 43102
• 代理人: 馮青

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型專利涉及固態(tài)存儲(chǔ)安全領(lǐng)域。?

背景技術(shù)

隨著信息化時(shí)代的到來(lái)，以計(jì)算機(jī)為犯罪手段和以計(jì)算機(jī)信息為犯罪目標(biāo)的犯罪活動(dòng)也在增加。政府機(jī)關(guān)、軍隊(duì)、企業(yè)和很多普通用戶面臨著：計(jì)算機(jī)上的機(jī)密文件刪除時(shí)必須要徹底地銷毀，不留一點(diǎn)痕跡，不能夠被恢復(fù)。?

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型設(shè)計(jì)旨在提供一種固態(tài)硬盤雙重?cái)?shù)據(jù)銷毀的方式和裝置。?

雙重?cái)?shù)據(jù)銷毀方式包括：?

軟銷毀。固態(tài)硬盤控制器接收到軟銷毀信號(hào)，通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)的擦寫(xiě)操作，將存儲(chǔ)在Flash陣列的信息覆蓋。固態(tài)硬盤可再次使用。整個(gè)銷毀過(guò)程可以在30秒內(nèi)完成。銷毀時(shí)間與固態(tài)硬盤的容量成正比。?

硬銷毀。對(duì)硬件的操作，硬銷毀信號(hào)發(fā)出后，通過(guò)高電壓擊穿固態(tài)硬盤主控以及NANDFLASH?IO口。徹底摧毀物理介質(zhì)，固態(tài)硬盤不再可用，保證數(shù)據(jù)不被恢復(fù)。整個(gè)過(guò)程可在短短的幾秒鐘內(nèi)完成。銷毀時(shí)間與固態(tài)硬盤的容量大小沒(méi)有直接關(guān)系。?

固態(tài)硬盤雙重?cái)?shù)據(jù)銷毀裝置包括：固態(tài)硬盤主控部、NAND?Flash陣列、單片機(jī)、升壓電路，其中升壓電路與固態(tài)硬盤主控部、NAND?Flash陣列、單片機(jī)連接，固態(tài)硬盤主控部與NANDFlash陣列連接。?

當(dāng)MCU單片機(jī)接收到用戶發(fā)出的數(shù)據(jù)自毀命令時(shí)，MCU單片機(jī)給升壓模塊輸入一個(gè)使能信號(hào)，使升壓模塊輸出高壓，待升壓輸出電壓穩(wěn)定后，MCU單片機(jī)發(fā)出一個(gè)開(kāi)關(guān)使能信號(hào)，將高壓通過(guò)高壓開(kāi)關(guān)導(dǎo)入固態(tài)硬盤主控制部分和FLASH的I/O端口，從而將固態(tài)硬盤主控制部分和FLASH擊穿，徹底銷毀FLASH中的數(shù)據(jù)。?

固態(tài)硬盤主控部分，控制對(duì)NAND?FLASH陣列的管理，包括對(duì)NAND?FLASH讀寫(xiě)和擦除操作、壞塊管理、ECC校驗(yàn)、均衡損耗算法、控制SATA接口與主機(jī)通訊等等。?

NAND?Flash陣列，存儲(chǔ)介質(zhì)，用來(lái)記錄存儲(chǔ)的信息。?

單片機(jī)，單片機(jī)控制對(duì)外部物理銷毀觸發(fā)輸入的銷毀控制。?

升壓電路，升壓電路將外部5V電壓升壓將控制器及Flash?IO口擊穿。?

本實(shí)用新型設(shè)計(jì)結(jié)合竊密者可能采用的各種竊密途徑，系統(tǒng)研究數(shù)據(jù)銷毀的方式，成功?設(shè)計(jì)出雙重銷毀方式，由于采用固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)，在銷毀觸發(fā)后，進(jìn)入數(shù)據(jù)銷毀狀態(tài)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)介質(zhì)可以在幾秒鐘內(nèi)徹底銷毀。?

附圖說(shuō)明

圖1：基于雙重銷毀示技術(shù)的高保密固態(tài)硬盤產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖。?

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施實(shí)例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。?

在本發(fā)明方案中，通過(guò)使用一個(gè)升壓模塊，并利用MCU單片機(jī)控制升壓模塊的開(kāi)啟，從而利用高壓作用于SSD固態(tài)硬盤主控制部分和FLASH，將主控和FLASH擊穿燒毀。?

圖示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的電子硬盤結(jié)構(gòu)框圖，該電子硬盤可以為電子設(shè)備的存儲(chǔ)設(shè)備，當(dāng)然電子設(shè)備可以為計(jì)算機(jī)、電視機(jī)或機(jī)頂盒。?

當(dāng)MCU單片機(jī)接收到用戶發(fā)出的數(shù)據(jù)自毀命令時(shí)，MCU單片機(jī)給升壓模塊輸入一個(gè)使能信號(hào)，使升壓模塊輸出高壓，待升壓輸出電壓穩(wěn)定后，MCU單片機(jī)發(fā)出一個(gè)開(kāi)關(guān)使能信號(hào)，將高壓通過(guò)高壓開(kāi)關(guān)導(dǎo)入固態(tài)硬盤主控制部分和FLASH的I/O端口，從而將固態(tài)硬盤主控制部分和FLASH擊穿，徹底銷毀FLASH中的數(shù)據(jù)。?

當(dāng)電子硬盤上的MCU單片機(jī)未接收到輸入觸發(fā)信號(hào)時(shí)，由主板電源對(duì)SSD固態(tài)硬盤主控制部分進(jìn)行正常供電，使控制器和FLASH正常工作。?

作為本發(fā)明的實(shí)施例，該數(shù)據(jù)自毀信號(hào)為一個(gè)電平信號(hào)，低電平有效。當(dāng)給觸發(fā)信號(hào)一個(gè)寬度大于1s的低電平時(shí)，MCU單片機(jī)將相應(yīng)這個(gè)觸發(fā)電平，執(zhí)行銷毀控制操作。?

升壓模塊主要完成電壓的轉(zhuǎn)換功能。其輸入電壓為SSD固態(tài)硬盤主控制部分5V接口輸入，輸出為一高電壓，其高電壓的電平的為20V。?

高壓開(kāi)關(guān)，主要完成將20V高壓信號(hào)導(dǎo)入給控制器和FLASH的IO口，從而將SSD固態(tài)硬盤主控制部分徹底銷毀。?

MCU單片機(jī)為銷毀控制的大腦。主要接收來(lái)自觸發(fā)輸入端的輸入信號(hào)，當(dāng)確定有銷毀信號(hào)輸入時(shí)，將進(jìn)行一系列的控制操作，包括使能升壓模塊、使能高壓開(kāi)關(guān)的動(dòng)作開(kāi)啟等。確保銷毀操作能有序執(zhí)行。?

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。?