[實用新型]PECVD鍍膜專用硅片承載器無效
| 申請號: | 201020151512.5 | 申請日: | 2010-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN201665709U | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發明(設計)人: | 屈瑩;劉志剛;馮鑫 | 申請(專利權)人: | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 周祥生 |
| 地址: | 213200 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | pecvd 鍍膜 專用 硅片 承載 | ||
【技術領域】
本實用新型涉及太陽能電池硅片PECVD鍍膜用的一種硅片承載器。
【背景技術】
PECVD是太陽能電池片等離子體化學沉積鍍膜工藝的簡稱,在太陽能電池的生產過程中,對硅片鍍膜是提高太陽能電池吸收效率的關鍵技術,根據硅片的光電轉換發電原理,光線照射到硅片上會產生反射,硅片的光學損失會使太陽能電池的輸出低于理想值,硅片鍍膜技術是提高太陽能電池吸收效率的成熟技術,已在太陽能電池工業化生產中得到廣泛應用,通過PECVD能在硅片表面形成一層減反射膜。
在PECVD鍍膜過程中必須使用硅片承載器,現用的硅片承載器如圖1所示,它由承載框架1、單面掛鉤2和雙面掛鉤3組成,承載框架1由縱向桿和橫向桿拼合而成,單面掛鉤2安裝在左右兩側的縱向桿上,雙面掛鉤3則安裝在其它縱向桿上,將待鍍膜的硅片5逐塊平放在硅片承載器上,靠單面掛鉤2和雙面掛鉤3將硅片5水平托起,對硅片5向下的擴散面進行鍍膜。雙面掛鉤如圖2A所示,單面掛鉤如圖2B所示,它們均為片狀結構,所述雙面掛鉤3由托鉤31、鉤身32、定位槽33和扎帶34組成,托鉤31對稱地設置在鉤身32下端的外側,定位槽33位于鉤身32的上方,且處于兩根扎帶34之間,雙面掛鉤3通過定位槽33安裝在縱向桿上;單面掛鉤2的結構與雙面掛鉤3相似,只比雙面掛鉤3少一個托鉤。單面掛鉤和雙面掛鉤的安裝固定方式都是相同的,都是靠定位槽卡裝在縱向桿上,然后用鉗子將兩根扎帶鉸接起來,從而使掛鉤固定在縱向桿上,在鉸接緊固時,兩根扎帶必然會對縱向桿產生收緊力和磨擦力,由于硅片承載框架由碳素復合纖維材料制成,在掛鉤的安裝收緊和拆除過程中,扎帶對縱向桿的損傷較大,這必然加速硅片承載器的損壞,縮短其使用壽命。目前,硅片承載器一般的使用壽命為二個月,生產消耗較大,由于硅片承載器的價格較高,所以硅片承載器消耗成本在鍍膜成本中的比例較高。
在鍍膜的過程中,待鍍膜的硅片是平放在硅片承載器上,并由四個托鉤水平托起,由于掛鉤固定的松緊程度會直接影響托鉤的頂尖與縱向桿底面之間的距離,從而改變硅片與硅片承載器之間的間隙,這樣就增大了等離子體擴散到硅片背面產生沉積的機率,電池背面存有氮化硅層對后道工序鋁背場的印刷燒結將產生不良影響。同時,在鍍膜過程中,在硅片承載框架和掛鉤表面都會沉積氮化硅,根據鍍膜工藝要求,在鍍膜結束后必須將硅片承載框架上的掛鉤拆除,然后用低濃度的HF溶液(5%)浸泡以清除附著其上的氮化硅,否則掛鉤就會在浸泡過程中被HF溶液腐蝕掉,這樣不僅要消耗HF溶液,而且還需要拆除掛鉤,同時也增大了后道對HF溶液環保處理的成本和難度。
【實用新型內容】
為了克服現有硅片承載器存在的不足,本實用新型提供了一種PECVD鍍膜專用硅片承載器,這種硅片承載器上的掛鉤不僅能快速安裝和拆除,而且對硅片承載框架不會產生損傷,還能大幅度降低太陽能電池片背面沉積氮化硅層的機率。
本實用新型所述PECVD鍍膜專用硅片承載器,它包括承載框架、單面掛鉤和雙面掛鉤,單面掛鉤和雙面掛鉤均安裝在承載框架的掛鉤連接桿上,其特征是,它還包括墊板,所述雙面掛鉤由托鉤、鉤身、定位槽、扎帶、壓迫凸臺和折彎槽組成,兩個托鉤對稱地位于鉤身的底部兩側,定位槽位于鉤身的上方,且處于兩根扎帶之間,壓迫凸臺設置在扎帶的頂端,在兩扎帶的外側等高度地設有折彎槽,折彎槽的開設位置要求是:當壓迫凸臺沿折彎槽向內側邊折彎90°后,內側邊到定位槽底邊的距離等于兩個墊板厚度與掛鉤連接桿厚度之和;所述墊板呈“工”字形,在其墊板的兩側開有扎帶槽,扎帶槽的寬度與扎帶的厚度相當,兩扎帶槽的槽底之間的距離與兩扎帶的內側邊之間的距離相當,托鉤的頂尖與掛鉤連接桿底邊的距離小于或等于硅片的厚度;單面掛鉤的結構與雙面掛鉤相同,只比雙面掛鉤少一只托鉤;單面掛鉤、雙面掛鉤與掛鉤連接桿的安裝方式相同,在掛鉤連接桿的上端面和下端面均設置有墊板,兩扎帶插穿在墊板的兩扎帶槽中,定位槽套裝在掛鉤連接桿上,兩根扎帶上端的壓迫凸臺通過沿折彎槽向內側邊折彎90°的方式壓在墊板的上端面上,如圖3所示。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





