[實用新型]一種半導體功率模塊

有效

• 申請號: 201020150142.3
• 申請日: 2010-03-29
• 公開（公告）號: CN201667332U
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 林勇釗;林信平;陳永恒
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體功率模塊，包括：

散熱器(7)；

覆金屬陶瓷基板，安裝于所述散熱器(7)上，包括：具有正表面和背表面的陶瓷基板(3)、設于所述陶瓷基板(3)正表面的正面金屬板(2)、以及設于所述陶瓷基板(3)背表面的背面金屬板(4)；

半導體元件(1)，焊接于所述正面金屬板(2)上；

殼體(9)，內置并密封所述半導體元件(1)；

其特征在于，所述散熱器(7)朝向背面金屬板(4)的一端設有冷卻槽(6)，所述背面金屬板(4)固定于散熱器(7)上并密封所述冷卻槽(6)。

2.根據權利要求1所述的半導體功率模塊，其特征在于，所述散熱器(7)上設有與所述背面金屬板(4)相適配的下凹結構(70)，所述冷卻槽(6)設于下凹結構(70)的下方，所述背面金屬板(4)安裝于下凹結構(70)內并密封所述冷卻槽(6)的槽口。

3.根據權利要求1或2所述的半導體功率模塊，其特征在于，所述散熱器(7)與所述背面金屬板(4)相接觸的端面設為結合面，所述結合面設有冷卻區(71)和結合區(72)；所述冷卻區(71)由所述冷卻槽(6)的槽口形成，冷卻區(71)的面積占所述結合面總面積的35～70％。

4.根據權利要求3所述的半導體功率模塊，其特征在于，所述結合區(72)設于所述冷卻區(71)的周緣，其與背面金屬板(4)之間設有連接層(5)；所述背面金屬板(4)與結合區(72)通過連接層(5)相連接并相應的密封所述冷卻區(71)。

5.根據權利要求1或2所述的半導體功率模塊，其特征在于，所述冷卻槽(6)的進、出水端分別設有進、出水管(61、62)，所述進、出水管(61、62)的設置高度低于所述冷卻槽(6)的設置高度。

6.根據權利要求5所述的半導體功率模塊，其特征在于，所述冷卻槽(6)為彎折槽，其進、出水端朝向散熱器(7)的同一側，其橫截面呈圓弧形、方形或者U形。

7.根據權利要求1或2所述的半導體功率模塊，其特征在于，所述背面金屬板(4)的長寬尺寸大于所述陶瓷基板(3)以及正面金屬板(2)。

8.根據權利要求7所述的半導體功率模塊，其特征在于，所述陶瓷基板(3)是厚度為0.1～1.5mm的氧化鋁陶瓷板或者厚度為0.3～1.5mm的氮化鋁陶瓷板；所述正面金屬板(2)是厚度為0.3～0.6mm的鋁板或鋁合金板；所述背面金屬板(4)是厚度為1～3mm的鋁合金板。

9.根據權利要求7所述的半導體功率模塊，其特征在于，所述殼體(9)固定于背面金屬板(4)上，殼體(9)內置所述陶瓷基板(3)、正面金屬板(2)以及半導體元件(1)，并且殼體(9)內的空隙部分灌封有導熱體(10)。

10.根據權利要求7所述的半導體功率模塊，其特征在于，所述背面金屬板(4)超出陶瓷基板(3)的部分設置固定部(40)，所述固定部(40)上設有固定孔(41)，所述殼體(9)的外緣相應的設有通孔(91)，所述散熱器(7)上相應的設有安裝孔(73)；通過固定件依次連接所述通孔(91)、固定孔(41)以及安裝孔(73)，所述殼體(9)、背面金屬板(4)固定于所述散熱器(7)上。