[實(shí)用新型]三氯氫硅合成爐供氣結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020101525.1
• 申請日: 2010-01-22
• 公開（公告）號: CN201626836U
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王國林
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇福斯特石化裝備有限公司
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種化學(xué)合成爐供氣結(jié)構(gòu)，具體地講，是一種用于合成三氯氫硅的合成爐供氣結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

三氯氫硅是一種合成化工原料，它由合成爐內(nèi)彌散的硅粉與氯化氫氣在設(shè)定溫度條件下化合而成。合成爐結(jié)構(gòu)對三氯氫硅合成效率有著很大的影響，特別是供氣結(jié)構(gòu)的影響最大。工程中常規(guī)合成爐的結(jié)構(gòu)是立式結(jié)構(gòu)，供氣結(jié)構(gòu)位于底部，氯化氫氣通過密排的噴嘴從下向上直線噴入到反應(yīng)段內(nèi)。現(xiàn)有技術(shù)采用直噴氣供氣結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)相對比較簡單，能夠有效供氣，但所供氣呈層流輸入，供氣均勻性不夠理想，在爐內(nèi)反應(yīng)段易形成供氣盲區(qū)或弱區(qū)。顯然，此區(qū)域內(nèi)因供氣不均而合成不足，直接降低了合成爐的合成效率，降低了產(chǎn)品品質(zhì)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型主要針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種結(jié)構(gòu)簡單、供氣均勻、合成效率高的三氯氫硅合成爐供氣結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)技術(shù)目標(biāo)。

三氯氫硅合成爐供氣結(jié)構(gòu)，它包括反應(yīng)段、供氣室及其相配合處平置的氣體分布板。板狀的氣體分布板板面上均布軸向通孔，朝反應(yīng)段一側(cè)的通孔為螺孔，每只螺孔都配裝噴嘴。其改進(jìn)之處在于：內(nèi)空結(jié)構(gòu)的噴嘴上端為盲端，底端敞口與氣體分布板上的通孔相通，噴嘴腰部壁上對稱設(shè)有出氣口。

上述結(jié)構(gòu)中，噴嘴腰部壁上的出氣口為斜孔，出氣口軸線與噴嘴軸線相交的夾角為40°～50°。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下積極效果：

1、在噴嘴壁上設(shè)置朝下的出氣口，結(jié)構(gòu)簡單、易制造；

2、噴嘴壁上朝下斜置的出氣口，構(gòu)成反射式噴氣結(jié)構(gòu)，反復(fù)折射有利于氯化氫氣均勻散開，增加與彌散的硅粉合成反應(yīng)機(jī)會，提高合成效率。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)剖面示意圖。

圖2是噴嘴與氣體分布板相配合的I局部放大示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。

圖1所示的三氯氫硅合成爐供氣結(jié)構(gòu)，它包括位于上部的反應(yīng)段1、下部的供氣室4及其相配合處平置的氣體分布板3。板狀的氣體分布板3板面上均布軸向通孔3.1，面朝反應(yīng)段1一側(cè)的通孔3.1為螺孔，每只螺孔都配裝噴嘴2。所述的噴嘴2為內(nèi)空結(jié)構(gòu)，其朝上的頂端為盲端，底端敞口與氣體分布板3的通孔3.1相通，噴嘴2腰部壁上對稱設(shè)有斜置的出氣口2.1，本實(shí)施例中，出氣口2.1軸線與噴嘴2軸線相交的夾角為45°。從合成爐外輸入的氯化氫氣從氣體分布板3中的通孔3.1進(jìn)入噴嘴2，再順著噴嘴2腰部壁上斜置的出氣口2.1噴向氣體分布板3的上表面，斜噴出的氯化氫氣在反應(yīng)段1內(nèi)易形成90°角的反復(fù)折射。氯化氫氣在反應(yīng)段1內(nèi)反復(fù)折射進(jìn)一步增加與彌散的硅粉合成反應(yīng)機(jī)會，可顯著提高合成效率。

本實(shí)用新型中，噴嘴2壁上的出氣口2.1軸線與噴嘴2軸線相交的夾角，設(shè)成40°或50°都具有較大的反射角，其實(shí)施效果與上例相似，僅合成效率略低于45°夾角。