[發(fā)明專利]高摻雜注入光刻膠的剝離工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201019063023.6
• 申請日: 2010-02-05
• 公開（公告）號: CN102148152A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王新鵬;沈滿華;孟曉瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/266
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種高摻雜注入光刻膠的剝離工藝，在所述剝離工藝之前，包括如下工藝：(a)提供基底，在基底上形成圖形化的光刻膠；(b)以所述圖形化的光刻膠為掩模對基底進行高摻雜注入；其特征在于，所述剝離工藝為：(c)采用灰化法一步剝離所有光刻膠，且在該步驟中，光刻膠的去除速率大于等于

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的剝離工藝，其特征在于：光刻膠的去除速率為大于等于且小于等于

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的剝離工藝，其特征在于：所述剝離工藝的工藝參數(shù)為：工藝腔壓力300～3000毫托；溫度260～280℃；氧氣流量3000～4500sccm；氫氣氮氣混合氣體500～1000sccm，其中氮氣占90％～95％體積。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的剝離工藝，其特征在于：所述剝離工藝的工藝參數(shù)為：工藝腔壓力300～3000毫托；溫度260～280℃；氧氣流量300～800sccm；氫氣氮氣混合氣體4000～5000sccm，其中氮氣占90％～95％體積。