[發明專利]制造半導體封裝的方法

有效

• 申請號: 201010624425.1
• 申請日: 2010-12-30
• 公開（公告）號: CN102446772B
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 黃美善;孫暻鎮;李應碩;姜明杉
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H05K3/40;H05K3/46
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 陳小蓮;周建秋

1.一種制造半導體封裝的方法，該方法包括：

(A)制備其中第一金屬層、阻擋層和第二金屬層順次堆疊的金屬元件；

(B)通過選擇性地蝕刻所述第二金屬層而形成金屬柱；

(C)將外露的阻擋層從所述金屬柱中去掉，并將絕緣層層壓到所述第一 金屬層上使所述金屬柱穿透；和

(D)將與所述絕緣層的一個表面接觸的所述第一金屬層圖案化，以形成 電路層；和

(E)將阻焊劑施用于所述絕緣層的兩個表面后，通過加工阻焊劑形成第 一開口，從而使形成在所述絕緣層的一個表面上的電路層的焊盤部分露出； 以及通過加工阻焊劑形成第二開口，從而使形成在絕緣層的另一表面上的金 屬柱露出。

2.根據權利要求1所述的制造半導體封裝的方法，其中，所述第一金 屬層和所述第二金屬層由銅制成，且所述阻擋層由鎳制成。

3.根據權利要求1所述的制造半導體封裝的方法，其中，所述第二金 屬層的厚度為50-300μm。

4.根據權利要求1所述的制造半導體封裝的方法，其中，步驟(B)包括：

(B1)將抗蝕劑施用于所述第二金屬層的表面；和

(B2)在圖案化所述抗蝕劑后，選擇性地蝕刻所述阻擋層之前的所述第二 金屬層，以形成所述金屬柱。

5.根據權利要求1所述的制造半導體封裝的方法，其中，步驟(B)中的 金屬柱的直徑沿朝向阻擋層的方向增加。

6.根據權利要求1所述的制造半導體封裝的方法，其中，該方法還包 括在步驟(C)后，(C’)拋光絕緣層的外露表面，以形成糙度。

7.根據權利要求1所述的制造半導體封裝的方法，其中，步驟(D)包括：

(D1)將抗蝕劑施用于所述第一金屬層的表面；和

(D2)圖案化所述抗蝕劑后，選擇性地蝕刻所述第一金屬層，以形成電路 層。

8.根據權利要求1所述的制造半導體封裝的方法，其中，該方法還包 括，在步驟(E)后，(F)通過焊接點在被所述第一開口外露的所述焊盤部分上 安裝半導體芯片和在被所述第二開口外露的所述金屬柱上形成焊球。

9.一種制造半導體封裝的方法，該方法包括：

(A)制備基底元件，其中該基底元件基于粘合劑元件的兩個表面上順次 堆疊有第一金屬層、阻擋層和第二金屬層；

(B)通過選擇性地蝕刻所述第二金屬層而形成金屬柱；

(C)將外露的阻擋層從所述金屬柱中去掉，且將絕緣層層壓到所述第一 金屬層上使所述金屬柱穿透，然后，將所述粘合劑元件與所述第一金屬層分 離；和

(D)將與所述絕緣層一個表面接觸的所述第一金屬層圖案化，以形成電 路層；和

(E)在將阻焊劑施用于所述絕緣層的兩個表面后，通過加工阻焊劑形成 第一開口，從而使形成在所述絕緣層的一個表面上的電路層的焊盤部分露 出；以及通過加工阻焊劑形成第二開口，從而使形成在所述絕緣層的另一個 表面上的金屬柱露出。

10.根據權利要求9所述的制造半導體封裝的方法，其中，所述第一金 屬層和第二金屬層是由銅制成的，且所述阻擋層是由鎳制成的。

11.根據權利要求9所述的制造半導體封裝的方法，其中，所述第二金 屬層的厚度為50-300μm。

12.根據權利要求9所述的制造半導體封裝的方法，其中，步驟(B)包 括:

(B1)將抗蝕劑施用于所述第二金屬層的表面；和

(B2)在圖案化所述抗蝕劑后，選擇性地蝕刻所述阻擋層之前的所述第二 金屬層，以形成所述金屬柱。

13.根據權利要求9所述的制造半導體封裝的方法，其中，步驟(B)中 的金屬柱的直徑沿朝向阻擋層的方向增加。

14.根據權利要求9所述的制造半導體封裝的方法，其中，該方法還包 括，在步驟(C)后，(C’)拋光所述絕緣層的外露表面，以形成糙度。