[發(fā)明專利]一種鎢化學機械拋光后的清洗方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010619986.2 | 申請日： | 2010-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN102569022A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 彭洪修;劉兵;孫廣勝 | 申請（專利權(quán)）人： | 安集微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/28;B08B3/04 |
| 代理公司： | 上海翰鴻律師事務所 31246 | 代理人： | 李佳銘 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)張江高*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 化學 機械拋光 清洗 方法 | ||
1.一種鎢化學機械拋光后的清洗方法，包括下列步驟：
a.化學機械拋光，
b.干燥，
其特征在于：在所述化學機械拋光之后，還包括：光阻清洗液清洗。
2.如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于：所述清洗方法在干燥之前還包括濕法清洗。
3.如權(quán)利要求2所述的清洗方法，其特征在于：所述光阻清洗液清洗在濕法清洗前進行。
4.如權(quán)利要求2所述的清洗方法，其特征在于：所述光阻清洗液清洗在濕法清洗后進行。
5.如權(quán)利要求4所述的清洗方法，其特征在于：所述光阻清洗液清洗在干燥后進行。
6.如權(quán)利要求5所述的清洗方法，其特征在于：所述光阻清洗液清洗后還包括干燥步驟。
7.如權(quán)利要求1-6任一項所述的清洗方法，其特征在于：所述光阻清洗液為羥胺基光阻清洗液、含氟類光阻清洗液或胺基光阻清洗液。
8.如權(quán)利要求7所述的清洗方法，其特征在于：所述氟類光阻清洗液為IDEAL?Clean?815，IDEAL?Clean?960，SSTA2，EKC640和/或ACTNE；所述羥胺基光阻清洗液為EKC265，EKC270，EKC270T，ACT930，ACT935，ACT940和/或N311；所述胺基光阻清洗液為ALEG310和/或ALEG380。
9.如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于：在所述光阻清洗液清洗后，還包括：去離子水，異丙醇和/或N-甲基吡咯烷酮漂洗。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
