[發明專利]鍍膜件及其制造方法無效
| 申請號： | 201010614911.5 | 申請日： | 2010-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN102534489A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;林順茂 | 申請（專利權）人： | 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鍍膜 及其 制造 方法 | ||
1.一種鍍膜件，包括基材及形成于基材表面的硬質層，其特征在于：該硬質層為添加有M和R的鋯層，其中M為鐵、鈷、鎳、銅、鈮、鉿及鉭的一種或一種以上，R為鈧、釔及鑭系中的一種或一種以上。
2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述基材為不銹鋼、鋁合金、鎂合金、玻璃、陶瓷或塑料。
3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述硬質層中M的質量百分含量為10～49.5％，R的質量百分含量為0.5～10％。
4.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述硬質層以磁控濺射的方式形成。
5.一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟：
提供一基材及以一設有含有M、R和鋯的靶材的磁控濺射鍍膜機，其中M為鐵、鈷、鎳、銅、鈮、鉿及鉭的一種或一種以上，R為鈧、釔及鑭系中的一種或一種以上；
由磁控濺射鍍膜機在基材表面形成硬質層，該硬質層為添加有M和R的鋯層。
6.如權利要求5所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：其中M的質量百分含量為10～49.5％，R的質量百分含量為0.5～10％。
7.如權利要求5所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：所述形成硬質層的工藝參數為：所述靶材的功率為5～15KW，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100～400sccm，對基材施加的偏壓為-50～-200V，占空比為50％，鍍膜時間為20～90min。
8.如權利要求5或7所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：所述基材為不銹鋼、鋁合金、鎂合金或玻璃。
9.如權利要求8所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：所述磁控濺射的鍍膜溫度為100～200℃。
10.如權利要求5或7所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：所述基材為塑料。
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