[發(fā)明專利]一種納米催化電解絮凝裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010614864.4 | 申請日： | 2010-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN102010038A | 公開（公告）日： | 2011-04-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 潘美平;張世文;庹孝軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 波鷹（廈門）科技有限公司 |
| 主分類號： | C02F1/463 | 分類號： | C02F1/463 |
| 代理公司： | 廈門南強之路專利事務(wù)所 35200 | 代理人： | 馬應(yīng)森 |
| 地址： | 361022 福建省廈門*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 催化 電解 絮凝 裝置 | ||
1.一種納米催化電解絮凝裝置，其特征在于設(shè)有殼體，在殼體底部設(shè)有廢水進水口，所述廢水進水口通過管道與進水管道連接，在殼體內(nèi)設(shè)有浮渣擋板和擋水板，浮渣擋板與殼體內(nèi)一側(cè)構(gòu)成排水室，浮渣擋板的底部與殼體底部留有間隙，排水室設(shè)有排水口，擋水板與殼體內(nèi)另一側(cè)構(gòu)成排渣室，擋水板頂部與殼體頂部留有間隙，排渣室設(shè)排渣口；在殼體頂部靠排渣口一端設(shè)有排氫口，在浮渣擋板與擋水板之間設(shè)有至少1個電解槽，電解槽的底部固定在殼體內(nèi)底部，電解槽的頂部敞開并與殼體頂部留有間隙，電解槽內(nèi)安裝有電極，電極包括陽極和陰極，所述陽極與直流電源的陽極聯(lián)接，所述陰極與直流電源的陰極聯(lián)接；在電解槽上方的殼體內(nèi)構(gòu)成氣液分離室，排污口設(shè)置在殼體底部，位于擋水板與其相鄰電解槽之間。
2.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝裝置，其特征在于所述殼體設(shè)有內(nèi)層和外層，內(nèi)層為工程塑料內(nèi)層，外層為鋼板外層。
3.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝裝置，其特征在于所述電解槽為圓柱體電解槽、正方體電解槽或長方體電解槽。
4.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝裝置，其特征在于所述電解槽頂部敞開并與殼體頂部留有1/5～1/4高度的間隙。
5.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝裝置，其特征在于所述擋水板頂部與殼體頂部留有比電解槽高出30～50mm的間隙。
6.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝裝置，其特征在于所述陽極采用表面覆蓋有晶粒為10～35nm的金屬氧化物涂層的鈦基板陽極，所述陽極為平板狀陽極、圓弧狀陽極、圓筒狀陽極或網(wǎng)狀陽極。
7.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝裝置，其特征在于所述陽極為表面覆蓋有晶粒金屬氧化物涂層的鈦基板陽極，所述陰極為鈦陰極、鐵陰極、鋁陰極、不銹鋼陰極、鋅陰極、銅陰極、鎳陰極、鉛陰極或石墨陰極，所述陰極為圓弧狀陰極、圓筒狀陰極或網(wǎng)狀陰極。
8.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝裝置，其特征在于所述出水口設(shè)置在排水室的高度的3/4～4/5處。
9.如權(quán)利要求1所述的一種納米催化電解絮凝裝置，其特征在于所述陽極與陰極間的工作電壓為2～8V，電流密度為10～300mA/cm2。
10.如權(quán)利要求9所述的一種納米催化電解絮凝裝置，其特征在于陽極與陰極間的工作電壓為3～6V，電流密度為150～230mA/cm2。
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