[發(fā)明專利]互連結(jié)構(gòu)的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010613383.1
• 申請日: 2010-12-29
• 公開（公告）號: CN102543843A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李凡;胡敏達
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/316;H01L21/311;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包含內(nèi)部形成有金屬插塞的低介電常數(shù)層間介質(zhì)層，所述半導(dǎo)體襯底上具有形成開口的氮化鈦硬掩模層，其中位于所述氮化鈦硬掩模層下的半導(dǎo)體襯底部分為氧化硅保護層，所述氮化鈦硬掩模層中的開口正對半導(dǎo)體襯底中低介電常數(shù)層間介質(zhì)層內(nèi)的金屬插塞；

干法刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成暴露出金屬插塞的金屬導(dǎo)線溝槽，所述金屬導(dǎo)線溝槽中氧化硅保護層和氮化鈦硬掩模層在金屬導(dǎo)線溝槽開口處橫向凸起；

利用含氟的酸性溶液濕法清洗所述氧化硅保護層和氮化鈦硬掩模層，以去除部分氧化硅和氮化鈦，使氧化硅保護層和氮化鈦硬掩模層的開口寬度與所述金屬導(dǎo)線溝槽對應(yīng)。

2.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在半導(dǎo)體襯底中，所述層間介質(zhì)層和氧化硅保護層之間還形成有氮摻雜碳化硅阻擋層和低介電常數(shù)介質(zhì)層。

3.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕采用等離子體刻蝕。

4.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕之后還包含有濕法清洗所述半導(dǎo)體襯底，以去除所述干法刻蝕后的刻蝕殘留物。

5.如權(quán)利要求4所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述去除刻蝕殘留物的濕洗溶液為H₂O、H₂SO₄、H₂O₂和HF的混合溶液。

6.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述利用含氟的酸性溶液濕法清洗氧化硅保護層和氮化鈦硬掩模層包括：將半導(dǎo)體襯底包含氧化硅保護層和氮化鈦硬掩模層的一面朝下并浸入含氟的酸性溶液，所述含氟的酸性溶液浸沒氧化硅保護層和氮化鈦硬掩模層；提起所述半導(dǎo)體襯底，將半導(dǎo)體襯底中包含氧化硅保護層和氮化鈦硬掩模層的一面朝上。

7.如權(quán)利要求6所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述含氟的酸性溶液為HF和H₂O的混合溶液。

8.如權(quán)利要求7所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述HF和H₂O的混合溶液中HF和H₂O的體積比為1∶50～1∶100，所述HF和H₂O的混合溶液的溫度范圍為23～50攝氏度，濕法清洗時間為0.5～3秒。

9.如權(quán)利要求6所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述含氟的酸性溶液為NH₄F和HF的混合溶液。

10.如權(quán)利要求9所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述NH₄F和HF的混合溶液中NH₄F和HF的體積比為10～500∶1，所述NH₄F和HF混合溶液的溫度范圍為23～50攝氏度，濕法清洗時間為0.5～3秒。

11.如權(quán)利要求6所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述含氟的酸性溶液為NH₄F、HF和H₂O的混合溶液。

12.如權(quán)利要求11所述的互連結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述NH₄F、HF和H₂O的混合溶液中NH₄F、HF和H₂O的體積比為7～10∶1～2∶88～130，所述NH₄F、HF和H₂O的混合溶液的溫度范圍為23～50攝氏度，濕法清洗時間為0.5～3秒。