[發明專利]發光二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 201010610228.4
• 申請日: 2010-12-23
• 公開（公告）號: CN102130245A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 肖德元;張汝京
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01L33/22;H01L33/12;H01L33/42;H01L33/64;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種發光二極管，包括：

襯底，包括正面以及與所述正面相對的背面，所述正面上具有多個凸起；

依次形成于所述凸起上的第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層；

形成于所述第二導電類型半導體層上的第二導電類型電極；

形成于所述襯底背面的第一導電類型電極。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述襯底為硅襯底、碳化硅襯底或氮化鎵襯底。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述凸起為錐形凸起、半球形凸起、橢球形凸起或雙焦距微透鏡結構。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述凸起底部之間的距離小于0.2微米。

5.如權利要求1或2或3或4所述的發光二極管，其特征在于，所述第一導電類型為n型，所述第二導電類型為p型。

6.如權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，還包括形成于所述襯底和第一導電類型半導體層之間的緩沖層。

7.如權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，所述襯底為n型襯底；所述緩沖層的材料為n型氮化銦或n型碳化硅；所述第一導電類型半導體層的材料為n型氮化鎵；所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述第二導電類型半導體層的材料為p型氮化鎵。

8.如權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，還包括形成于所述第二導電類型半導體層上的透明導電層。

9.一種發光二極管制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括正面以及與所述正面相對的背面；

在所述襯底正面形成多個凸起；

在所述凸起上依次形成第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層；

在所述第二導電類型半導體層上形成第二導電類型電極；

在所述襯底背面形成第一導電類型電極。

10.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其特征在于，所述襯底為硅襯底、碳化硅襯底或氮化鎵襯底。

11.如權利要求9所述的發光二極管，其特征在于，所述凸起為錐形凸起、半球形凸起、橢球形凸起或雙焦距微透鏡結構。

12.如權利要求9所述的發光二極管，其特征在于，所述凸起底部之間的距離小于0.2微米。

13.如權利要求9或10或11或12所述的制造方法，其特征在于，所述第一導電類型為n型，所述第二導電類型為p型。

14.如權利要求13所述的制造方法，其特征在于，在所述襯底正面形成多個凸起之后，還包括：在所述凸起上形成緩沖層。

15.如權利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述襯底為n型襯底；所述緩沖層的材料為n型氮化銦或n型碳化硅；所述第一導電類型半導體層的材料為n型氮化鎵；所述有源層包括多量子阱有源層，所述多量子阱有源層的材料為銦氮化鎵；所述第二導電類型半導體層的材料為p型氮化鎵。

16.如權利要求15所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二導電類型半導體層之后，還包括：在所述第二導電類型半導體層上形成透明導電層。

17.如權利要求16所述的制造方法，其特征在于，在所述襯底背面形成第一導電類型電極之前，還包括：減薄所述襯底。