[發明專利]利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法無效
| 申請號： | 201010609100.6 | 申請日： | 2010-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN102540241A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 劉建忠;王勇;靳根;楊亞鵬;姚小麗;王曉東;陳法國;劉惠英;周彥坤;劉倍;徐園 | 申請（專利權）人： | 中國輻射防護研究院 |
| 主分類號： | G01T3/08 | 分類號： | G01T3/08 |
| 代理公司： | 北京天悅專利代理事務所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;任曉航 |
| 地址： | 030006 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 半導體 陣列 測量 中子 劑量 當量 方法 | ||
1.一種利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，該方法包括：
(1)將多個表面涂硼的半導體探測器設置于電路板上，組成一維陣列，再將此一維陣列置于金屬管中，構成半導體陣列管；
(2)將三根半導體陣列管按兩兩垂直的方式插入慢化體中；
(3)根據粒子的輸運理論得到中子入射前的能量；將各個探測器獲得的中子入射前的能量合并得到中子的能譜；
(4)將每個半導體探測器測量的計數經轉化后得到中子注量；將中子注量值乘以相應能量的注量劑量轉換系數，得到需要的中子輻射場劑量當量。
2.如權利要求1所述的利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，其特征在于：步驟(3)中，通過如下公式計算中子入射前的能量：
式中，En為入射中子能量，MA和Mn分別是靶核和中子質量，θ為中子出射角。
3.如權利要求1或2所述的利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，其特征在于：步驟(4)中，半導體探測器的計數和中子注量的關系如下：
式中，n為分區個數，Ai為第i個探測器計數，Ri(E)為第i個探測器的注量響應函數，Φ(E)是中子能量為E的注量率，εi為第i個探測器的測量不確定度。
4.如權利要求1所述的利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，其特征在于：步驟(1)中所述的金屬管為不銹鋼管或銅管或鋼管。
5.如權利要求1所述的利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，其特征在于：步驟(2)中所述的慢化體為聚乙烯慢化體。
6.如權利要求5所述的利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，其特征在于：所述的聚乙烯慢化體為球形或圓柱形。
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