[發明專利]晶體管參數化模塊單元無效
| 申請號: | 201010608309.0 | 申請日: | 2010-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN102142438A | 公開(公告)日: | 2011-08-03 |
| 發明(設計)人: | 熊濤;程玉華 | 申請(專利權)人: | 上海北京大學微電子研究院 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體管 參數 模塊 單元 | ||
1.一種小尺寸匹配晶體管參數化模塊單元,由兩個固定匹配連接關系的晶體管組成,其特征在于,所述模塊單元提供控制晶體管柵長和柵寬兩個參數,修改所述的兩個參數,可以調整晶體管的尺寸,內部將自動做出相應調整,仍然保持匹配連接關系。
2.如權利要求1所述的模塊單元,其特征在于,所述模塊單元中引出六條金屬線,供模塊單元外部電路連接。
3.如權利要求1所述的模塊單元,其特征在于,可以隨時調整所述晶體管的柵面積,根據實際版圖允許面積,優化匹配精確度。
4.如權利要求1所述的模塊單元,其特征在于,所述模塊單元采用完全的共質心版圖結構。
5.如權利要求1所述的模塊單元,其特征在于,所述晶體管左右兩邊加上等距離的陪襯柵極,避免了因多晶硅刻蝕速率不一致引起的失配。
6.如權利要求1所述的模塊單元,其特征在于,所述模塊單元中將陪襯管的柵電極與背柵相連,有助于保證晶體管的電學特性不受陪襯管下方形成的偽溝道影響。
7.如權利要求1所述的模塊單元,其特征在于,所述模塊單元中不用多晶硅而用金屬把多個柵電極相互連接起來,防止鄰近區域存在多晶硅圖形而導致刻蝕速率發生變化。
8.如權利要求1所述的模塊單元,其特征在于,所述模塊單元正確處理多晶硅柵電極上接觸孔的位置。
9.如權利要求1所述的模塊單元,其特征在于,所述模塊單元具備接近對稱的金屬連線布局。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海北京大學微電子研究院,未經上海北京大學微電子研究院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010608309.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一畝一年兩季秋、玉米、小麥雙豐收的種植技術
- 下一篇:便攜式多功能光纖比色計
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





