[發明專利]彈性波裝置無效
| 申請號： | 201010605965.5 | 申請日： | 2010-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN102111121A | 公開（公告）日： | 2011-06-29 |
| 發明（設計）人： | 玉崎大輔;津田基嗣;山崎央;佐伯昌彥;堀川晴信 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H03H9/25 | 分類號： | H03H9/25 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 彈性 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種彈性波裝置，其具備壓電基板、和在所述壓電基板上形成的IDT電極，
所述IDT電極由將多個金屬膜層疊而成的層疊金屬膜構成，該層疊金屬膜具有由Al或Al基合金構成的第一金屬膜、由與所述第一金屬膜不同的金屬或合金構成的第二金屬膜、以及配置于所述第一、第二金屬膜間的Cu膜及Ti膜，
Cu膜及Ti膜中的Cu膜配置于第一金屬膜側。
2.如權利要求1所述的彈性波裝置，其中，
所述Al基合金將Al作為主體，含有選自Cu、Si、Mg、Ti、Ag、Ni、Zn、Au及Cr中的至少一種金屬。
3.如權利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，
所述第二金屬膜由選自Pt、Au、Ag、Ta、W、Mo、Pd、Ni及Cr中的至少一種金屬或將該金屬作為主體的合金構成。
4.如權利要求1～3中任一項所述的彈性波裝置，其中，
所述Ti膜的膜厚相對于彈性波的波長的波長比在1.5％以下。
5.如權利要求1～4中任一項所述的彈性波裝置，其為彈性表面波元件。
6.如權利要求1～4中任一項所述的彈性波裝置，其中，
還具備以覆蓋所述IDT電極的方式設置的電介質層，其為利用在該電介質層和壓電基板的界面之間傳播的彈性界面波的彈性界面波裝置。
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