[發明專利]金屬柵極的形成方法有效
| 申請號： | 201010604678.2 | 申請日： | 2010-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN102543702A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 蔣莉 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 柵極 形成 方法 | ||
1.一種金屬柵極的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底上依次形成有犧牲氧化層和多晶硅柵極，所述多晶硅柵極兩側的半導體襯底上具有側墻；
在所述半導體襯底上形成層間介質層，所述層間介質層表面與多晶硅柵極頂部齊平；
去除所述多晶硅柵極和犧牲氧化層，形成溝槽；
在層間介質層及側墻上形成金屬層，且所述金屬層填充滿溝槽；
在金屬層上形成保護層；
研磨保護層及金屬層至露出層間介質層，形成金屬柵極，對所述保護層的研磨速率小于金屬層。
2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述研磨保護層及金屬層的方法為化學機械研磨法。
3.根據權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述化學機械研磨法采用的研磨液為氧化鋁研磨液。
4.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保護層為氧化鋁層。
5.根據權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述氧化鋁層采用熱氧化法形成。
6.根據權利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述氧化鋁層厚度為10～100埃。
7.根據權利要求3或4所述的形成方法，其特征在于，所述研磨液對金屬層與氧化鋁層的研磨速率比為3∶1～10∶1。
8.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保護層為氮化物金屬層。
9.根據權利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述氮化物金屬層材料為TaN或TiN。
10.根據權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述氮化物金屬層厚度為50～500埃。
11.根據權利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述氮化物金屬層采用化學氣相沉積法形成。
12.根據權利要求3或8所述的形成方法，其特征在于，所述研磨液對金屬層與氮化物金屬層的研磨速率比為3∶1～10∶1。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
