[發明專利]新型電壓保護器件

無效

• 申請號: 200710099059.0
• 申請日: 2007-05-10
• 公開（公告）號: CN101304048A
• 公開（公告）日: 2008-11-12
• 發明（設計）人: 姜巖峰
• 申請（專利權）人: 北方工業大學
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙鎮勇

1、一種新型電壓保護器件，包括雙向二極管的五層結構，其特征在于， 所述五層結構中的表面擴散P型區上包括有：電介質層和氧化層；電介質層位 于表面擴散P型區上，氧化層覆蓋在一層電介質上，另一層電介質覆蓋在氧化 層上并與下面一層的電介質接觸。

2、如權利要求1所述的新型電壓保護器件，其特征在于，所述的電介質層 為銀層或鋁層。

3、如權利要求1所述的新型電壓保護器件，其特征在于，所述的氧化層為 二氧化硅SiO₂層。

4、如權利要求1所述的新型電壓保護器件，其特征在于，所述的五層結構 中襯底P區采用高電導率材料構成。

5、如權利要求4所述的新型電壓保護器件，其特征在于，所述的襯底P區 采用高電導率材料構成，進一步為襯底P區采用0.005歐姆以上電導率的材料構 成。

6、如權利要求5所述的新型電壓保護器件，其特征在于，所述的五層結構 中的表面擴散P型區為淺結擴散。

7、如權利要求6所述的新型電壓保護器件，其特征在于，所述的淺結擴散 為30微米或30微米以下的擴散。

8、如權利要求1所述的新型電壓保護器件，其特征在于，所述電介質層的 寬度要超過表面擴散P型區，連接表面擴散P型區和下面的N型區；所述的氧化 層要覆蓋電介質層的邊緣。

9、如權利要求1-8其中之一所述的新型電壓保護器件，其特征在于，所 述的表面擴散P型區的摻雜濃度為5×10²¹/cm^-3；距離表面以下的N型區的摻雜 濃度為4.6×10¹⁹/cm^-3；襯底P型區的摻雜濃度為2×10¹⁶/cm^-3。