[發(fā)明專利]一種摻鎵氧化鋅透明導(dǎo)電膜及其制備方法和應(yīng)用

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010603314.2
• 申請(qǐng)日: 2010-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN102534498A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/08
• 分類號(hào): C23C14/08;C23C14/35
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種摻鎵氧化鋅透明導(dǎo)電膜的制備方法，包括如下步驟：

選用質(zhì)量比為1∶99～5∶95的Ga₂O₃和ZnO為原材料，研磨成粉體后經(jīng)高溫?zé)Y(jié)處理，制得Ga₂O₃:ZnO陶瓷靶材；

將上述制得的Ga₂O₃:ZnO陶瓷靶材和襯底間隔相對(duì)地裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體中，所述真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；并對(duì)所述襯底進(jìn)行預(yù)熱處理；

調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：濺射功率為60～160W，工作壓強(qiáng)0.2～2.0Pa，以及氬氣工作氣體的流量15～35sccm；然后進(jìn)行鍍膜處理，制得所述摻鎵氧化鋅透明導(dǎo)電膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述Ga₂O₃和ZnO的質(zhì)量比為1.5∶98.5。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述高溫?zé)Y(jié)處理的溫度范圍為900～1300℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述陶瓷靶材和襯底的間隔距離為50mm～80mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的制備方法，其特征在于，所述襯底為石英片襯底。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述真空度為6.0×10^-4Pa。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述預(yù)熱處理的溫度為450℃～750℃，預(yù)熱處理時(shí)間1～4小時(shí)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：濺射功率為100W，工作壓強(qiáng)1.0Pa，以及氬氣工作氣體的流量20sccm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一所述制備方法制得的摻鎵氧化鋅透明導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜的Ga含量為2.3wt％～5.8wt％，電阻率為6.6×10^-4Ω·cm～352.8×10^-4Ω·cm。

10.權(quán)利要求9所述的摻鎵氧化鋅透明導(dǎo)電膜在有機(jī)半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用。