[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010602402.0 | 申請日: | 2010-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN102130276A | 公開(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 中村敬彥 | 申請(專利權(quán))人: | 精工電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址: | 日本千葉*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及使用高亮度及高輸出的LED元件作為光源的發(fā)光器件及其制造方法。特別是涉及通過提高散熱效果來延長LED元件的壽命的發(fā)光器件。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的LED封裝件的構(gòu)造為,在電路基板的電極圖案安裝LED元件作為光源,用環(huán)氧樹脂等將該基板的前面、以及具有傾斜并貫穿的反射面的反射部件一體化,從而進(jìn)行固定。反射部件的外形尺寸與基板大小幾乎相同。在這樣結(jié)構(gòu)的LED封裝件中,來自LED元件的光被該反射面向前面反射。
然而,由于上述LED封裝件沒有使用熱傳導(dǎo)性較高、即散熱功能優(yōu)良的材料作為基板材料,因此在LED元件的發(fā)光工作中無法得到優(yōu)良的散熱效果。另外,由于用另外的工序?qū)⒎瓷洳考潭ㄔ谏鲜龌?,因此難以簡化制造工序,由此會導(dǎo)致組裝費(fèi)用上升。
為解決這些缺點(diǎn),作為制造LED封裝件的方法,提出了日本特開2007-294966號公報(專利文獻(xiàn)1)等。使用圖7簡單說明專利文獻(xiàn)1的結(jié)構(gòu)。如圖所示,LED封裝件70包括:在表面形成有多級凹陷的鋁基板71;安裝在凹陷的底面,用金屬線75與電極圖案73電連結(jié)的光源74;形成于上述電極圖案73與鋁基板71之間的進(jìn)行了陽極氧化(anodising)處理的絕緣層72;以及被覆蓋在上述基板的光源上的成型(moulding)部76。而且,在光源的LED元件的下部面形成鋁散熱部,從而提供了一種散熱性能優(yōu)良的LED封裝件及其制造方法。在專利文獻(xiàn)1所涉及的發(fā)明中,由于基板由鋁材料構(gòu)成,進(jìn)行陽極氧化處理來形成絕緣層,因此能夠得到優(yōu)良的散熱效果,據(jù)此,可以增大LED封裝件的使用壽命和發(fā)光效率。
然而,存在的問題是:盡管在上述LED封裝件中使用熱傳導(dǎo)系數(shù)為236W/m·K的鋁,但由于進(jìn)行陽極氧化處理的絕緣層72的熱傳導(dǎo)系數(shù)為32W/m·K,因此熱傳導(dǎo)系數(shù)下降。另外,存在的問題是:由于絕緣層72為多孔狀的構(gòu)造,成型部76覆蓋該絕緣層72,因此在形成成型部時容易從絕緣層部分產(chǎn)生氣泡,產(chǎn)生內(nèi)有氣泡這樣的不良。還存在的問題是:由于硫化物等的氣體會通過該絕緣層到達(dá)封裝件內(nèi)部,因此在反射膜或LED元件的固定使用含有銀的材料時,劣化進(jìn)行得較快。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述的問題,本發(fā)明的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)如下。即,包括:光源;第一金屬基板,搭載光源;第二金屬基板,與第一金屬基板配置在同一平面,且與第一金屬基板絕緣;金屬線,將光源和第二金屬基板電連接;平板狀的反射部件,設(shè)置在第一金屬基板及第二金屬基板,具有光源側(cè)的面小于與該光源側(cè)的面相反側(cè)的面的貫穿孔,并且具有由傾斜的反射面形成的貫穿孔側(cè)的側(cè)面;模型材料,覆蓋光源;狹縫,設(shè)在第一金屬基板與第二金屬基板之間;以及絕緣材料,填充狹縫部。
另外,用銅、銀、金、鋁中的任一種形成第一金屬基板及第二金屬基板。另外,反射部件的傾斜面由冷光鏡膜、銀膜、鋁膜中的至少任意一個形成。此處,模型材料適用疏水性材料。另外,模型材料和絕緣材料可以是同一材質(zhì)。
另外,本發(fā)明的發(fā)光器件的制造方法包括:在第三金屬基板形成狹縫,該狹縫將搭載有光源的部分的第一金屬基板和由引線接合進(jìn)行連接的部分的第二金屬基板分割的工序;將形成有傾斜貫穿孔的反射部件設(shè)置在第三金屬基板的工序;在第三金屬基板搭載光源的工序;利用金屬線將第三金屬基板和光源電連接的工序;以及提供鑄模及絕緣用的材料的工序。另外,也可以不同時提供模型材料和狹縫的絕緣材料,而在狹縫形成絕緣材料后將反射部件設(shè)置在第三金屬基板,最后提供模型材料。
另外,作為將第三金屬基板和光源進(jìn)行接合的方法,可以例舉通過對金屬納米粒子進(jìn)行燒結(jié)而接合的方法。
并且,包括將一并形成于第三金屬基板的多個發(fā)光器件小片化的工序。此時,在將反射部件和第三金屬基板進(jìn)行粘接或者接合的工序中,通過使用具有槽部的反射部件,可以容易進(jìn)行小片化。
根據(jù)本發(fā)明,由于確保沒有使熱傳導(dǎo)系數(shù)下降的部分的散熱路徑,因此可以實現(xiàn)散熱性較高的發(fā)光器件。另外,由于在反射部件沒有多孔狀的構(gòu)造,因此不會出現(xiàn)模型材料導(dǎo)致的密封部的不良,可以實現(xiàn)可靠性也較高的發(fā)光器件。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的發(fā)光器件的剖視圖。
圖2(a)至(f)是表示本發(fā)明的發(fā)光器件的制造工序的圖。
圖3是本發(fā)明所涉及的發(fā)光器件的制造工序的俯視圖。
圖4(a)至(d)是表示本發(fā)明的發(fā)光器件的制造工序的圖。
圖5(a)至(f)是表示本發(fā)明的發(fā)光器件的制造工序的圖。
圖6(a)至(f)是表示本發(fā)明的發(fā)光器件的制造工序的圖。
圖7是表示傳統(tǒng)例的剖視圖的圖。
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