[發(fā)明專利]鍍膜件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010602256.1
• 申請日: 2010-12-23
• 公開（公告）號: CN102534480A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;馬楠
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜件，其包括鋁合金基體及形成于鋁合金基體上的防腐蝕層，其特征在于：該防腐蝕層為一氮化鉻硅的復(fù)合膜層。

2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述氮化鉻硅的復(fù)合膜層中Cr的原子百分含量為35-40at.％，Si為20-40at.％，N為20-40at.％。

3.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述氮化鉻硅的復(fù)合膜層中含有Si、Cr的納米晶及N原子，該N原子嵌入在Si、Cr納米晶的晶格之中，形成間隙型固溶體。

4.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述防腐蝕層的厚度為200-500nm。

5.如權(quán)利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述鍍膜件還包括一設(shè)置于鋁合金基體與防腐蝕層之間的過渡層，該過渡層為一金屬鉻層。

6.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟：

提供一鋁合金基體；

采用真空濺鍍法在該鋁合金基體上濺鍍防腐蝕層，該防腐蝕層為氮化鉻硅的復(fù)合膜層；濺鍍該防腐蝕層以鉻硅復(fù)合靶為靶材，以氮氣為反應(yīng)氣體。

7.如權(quán)利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：濺鍍所述防腐蝕層采用中頻磁控濺射鍍膜法，鉻硅復(fù)合靶的電源功率為5-7KW，氮氣的流量為60-80sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為150-200sccm，對鋁合金基體設(shè)置-150～-500V的偏壓，濺鍍溫度為20-120℃，濺鍍時間為20-40分鐘。

8.如權(quán)利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述制備方法還包括在濺鍍防腐蝕層前于鋁合金基體表面濺鍍金屬鉻的過渡層的步驟。

9.如權(quán)利要求8所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述制備方法還包括在濺鍍過渡層前對鋁合金基體進行超聲波清洗及等離子清洗的步驟。