[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法和液晶顯示器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010601911.1
• 申請(qǐng)日: 2010-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN102569185A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉翔;薛建設(shè)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線、柵電極、有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極，其特征在于，形成所述柵線、柵電極和像素電極的步驟具體包括：

在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜；

采用雙色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜和所述柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，且刻蝕所述柵金屬薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述采用雙色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜和所述柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，且刻蝕所述柵金屬薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案，包括：

在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；

采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述完全保留區(qū)域的光刻膠厚度大于所述部分保留區(qū)域的光刻膠厚度；

進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述柵金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜，形成包括柵線的圖案；

按照所述部分保留區(qū)域光刻膠的厚度灰化去除光刻膠；

進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述柵金屬薄膜，形成包括柵電極和像素電極的圖案；

去除剩余的光刻膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，形成所述有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和絕緣層的步驟包括：

在形成柵線、柵電極和像素電極圖案的襯底基板上形成柵絕緣層和有源層薄膜；

采用雙色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述有源層薄膜和柵絕緣層形成包括接觸過孔的圖案，并刻蝕所述有源層薄膜形成包括有源層的圖案；

在形成有源層和接觸過孔圖案的襯底基板上形成數(shù)據(jù)線金屬薄膜；

采用單色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案，并刻蝕所述有源層形成溝道圖案，所述漏電極通過接觸過孔與像素電極連通；

在形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖案的襯底基板上形成鈍化層；

采用單色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述鈍化層形成包括接口區(qū)域過孔的圖案。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述采用雙色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述有源層薄膜和柵絕緣層形成包括接觸過孔的圖案，并刻蝕所述有源層薄膜形成包括有源層的圖案，包括：

在所述有源層薄膜上涂覆光刻膠；

采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述完全保留區(qū)域的光刻膠厚度大于所述部分保留區(qū)域的光刻膠厚度；

進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述有源層薄膜和柵絕緣層，形成包括接觸過孔的圖案；

按照所述部分保留區(qū)域光刻膠的厚度灰化去除光刻膠；

進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述有源層薄膜，形成包括有源層的圖案；

去除剩余的光刻膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜具體包括：

在襯底基板上沉積厚度為的透明導(dǎo)電薄膜，并沉積厚度為的柵金屬薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成柵線、柵電極和像素電極圖案的襯底基板上形成有源層薄膜具體包括：

在襯底基板上形成厚度為的半導(dǎo)體層和厚度為重?fù)诫s半導(dǎo)體層；或者

在襯底基板上形成厚度為的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層為金屬氧化物。

7.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有橫縱交叉圍設(shè)形成多個(gè)像素單元的數(shù)據(jù)線和柵線，每個(gè)像素單元中包括像素電極、柵電極、源電極、漏電極和有源層，其特征在于：

所述像素電極、柵電極與柵線鄰接所述襯底基板設(shè)置，所述柵電極采用像素電極材料制成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于：所述柵電極與所述像素電極同步制成，所述柵線下方形成有像素電極材料薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于：所述柵電極的厚度為