[發明專利]具有有效去耦合的射頻放大器無效

申請號：	201010600458.2	申請日：	2010-12-17
公開（公告）號：	CN102148605A	公開（公告）日：	2011-08-10
發明（設計）人：	威廉·弗雷德里克·亞德里亞內斯·貝什林;特奧多魯斯·威廉默斯·巴克;讓·皮埃爾·羅格·拉米;吉尼斯·巴拉克什納·皮拉伊·科丘普拉卡爾;弗萊迪·羅茲博	申請（專利權）人：	NXP股份有限公司
主分類號：	H03F3/189	分類號：	H03F3/189;H03F1/30
代理公司：	中科專利商標代理有限責任公司 11021	代理人：	王波波
地址：	荷蘭艾***	國省代碼：	荷蘭;NL
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有有效耦合射頻放大器
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【說明書】：

技術領域

本發明總體涉及射頻電路，更具體地涉及射頻放大器的去耦合

背景技術

電信包括在用于通信的距離內發送信號。為了滿足數據帶寬的逐漸增長的需求，一些電信協議涉及基帶頻率與更高頻率/射頻(RF)之間的轉換。例如，高頻載波信號由基帶信號進行調制以用于發送。對于接收，將調制后的載波信號解調回到基帶信號。因此，在發送期間，將基帶信號移位至高得多的(RF)頻率。

RF發送中使用的基站包括工作在RF信號速度處的功率放大器。這些放大器工作在高RF頻率處，并優選地在放大期間維持信號的保真度。基于可用頻譜的固有限制來對電信進行限制。相應地，新興的無線通信協議實現用于增大通信吞吐量的新技術。不幸的是，這些新技術可能推到了當前技術的極限。基帶(視頻)帶寬已增大至滿足不斷增長的吞吐量需求。此外，無線通信協議使用承載數據的多載波頻率。因此，基站將同時工作在多載波頻率上。發生了RF發送的方面可導致不利的基帶級干擾的問題。

發明內容

本發明在多個實現方式和應用中例證，以下概括該多個實現方式和應用中的一些。

根據本發明的示例實施例，利用具有柵極端子和漏極端子的射頻晶體管，實現被限于小封裝大小的射頻放大器電路。具有寄生輸出電容的電路輸出通過接合線連接至源極-漏極端子。內部分路(shunt)電感電路提供對寄生輸出電容的補償。內部分路電感電路還在低于大約80MHz的所有頻率處提供了小于大約0.5Ohm的有效電阻。該內?部分路電感電路是使用將第一端子連接至電路地的高密度電容器以及連接在所述高密度電容器的源極-漏極端子和第二端子之間的內部分路電感來實現的。

根據本發明的另一實施例，實現了一種用于創建具有高密度電容器和射頻晶體管的射頻放大器電路的方法。所述高密度電容器是通過以下操作來形成的：通過對高摻雜度(如n++或p++)的Si或GaN襯底形成圖樣和進行蝕刻，形成直徑大約0.8μm至1.5μm、深大約20μm至25μm、具有大約2μm至3μm的孔距的孔的集合，來形成電容器的第一板。通過氧化蝕刻后的Si襯底、使氮化硅沉積在氧化后的Si襯底上、并在沉積后的氮化硅上生成氧化硅薄膜，形成Si襯底的前側的氧化物、氮化物、氧化物層；通過使多晶硅沉積在氧化硅薄膜上并使電極沉積在沉積后的多晶硅上，形成電容器的第二板。使用具有電感的電連接將電極連接至射頻晶體管，所述電連接和高密度電容器具有足以提供對射頻晶體管的寄生輸出電容的補償的電感和電容。

根據本發明的一個實施例，在表面貼裝器件(SMD)封裝中實現射頻放大器電路。電路對具有基帶部分的射頻信號以及頻率間隔大于基帶帶寬的多個載波信號進行放大。電路包括射頻晶體管與具有寄生輸出電容的電路輸出相連接。源極-漏極端子電連接至電路輸出。內部分路電感器提供對寄生輸出電容的補償。高密度電容器連接在內部分路電感器和電路地之間。高密度電容器所具有的端子的表面區域具有至少是對應平面表面的表面積的十倍的(三維)表面積。

以上發明內容并不意在描述本公開的每個實施例或每個實現方式。以下附圖說明和具體實施方式更具體地示出了各個實施例。

附圖說明

結合附圖，考慮到本發明各個實施例的以下具體實施方式，可以更完整地理解本發明，在附圖中：

圖1A示出了根據本發明實施例的包括低頻濾波器電路在內的RF功率晶體管；

圖1B示出了根據本發明實施例的包括提供低頻濾波的輸出補償?電路在內的RF功率晶體管；

圖2示出了根據本發明實施例的開放RF晶體管封裝的自頂向下視圖；

圖3A示出了根據本發明實施例的具有三維(3D)孔的襯底；

圖3B示出了根據本發明實施例在襯底上對介電層的至少一部分的形成；

圖3C示出了根據本發明實施例在襯底上對介電層的至少一部分的形成；

圖3D示出了根據本發明實施例在襯底上對介電層的至少一部分的形成；

圖3E示出了根據本發明實施例對導電層的形成；

圖3F示出了根據本發明實施例對導電層或頂部電極層的形成；