[發(fā)明專利]具有有效去耦合的射頻放大器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010600458.2
• 申請日: 2010-12-17
• 公開（公告）號: CN102148605A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 威廉·弗雷德里克·亞德里亞內(nèi)斯·貝什林;特奧多魯斯·威廉默斯·巴克;讓·皮埃爾·羅格·拉米;吉尼斯·巴拉克什納·皮拉伊·科丘普拉卡爾;弗萊迪·羅茲博
• 申請（專利權(quán)）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H03F3/189
• 分類號: H03F3/189;H03F1/30
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種射頻放大器電路，被限制于表面貼裝器件封裝大小，并被設(shè)計為對包括基帶部分在內(nèi)的射頻信號以及多個載波信號進行放大，所述載波信號所具有的頻率間隔大于射頻信號的基帶部分的帶寬，所述射頻放大器電路包括：

射頻晶體管，具有柵極端子和漏極端子；

電路輸出，具有寄生輸出電容；

電連接，在源極-漏極端子和電路輸出之間；

內(nèi)部分路電感器，提供對寄生輸出電容的補償；以及

高密度電容器，提供足以在頻率間隔附近的頻率處提供低有效阻抗的電容，并連接在內(nèi)部分路電感器和電路地之間，所述高密度電容器包括輪廓包含三維結(jié)構(gòu)的端子，所述端子的表面區(qū)域是該相同輪廓的平面表面的大約至少十倍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，所述射頻晶體管和所述高密度電容器位于公共襯底上。

3.一種射頻放大器電路，被限制于封裝大小，所述射頻放大器電路包括：

射頻晶體管，具有柵極端子和漏極端子；

電路輸出，具有寄生輸出電容；

接合線，連接在源極-漏極端子和電路輸出之間；以及

內(nèi)部分路電感電路，提供對寄生輸出電容的補償并在低于大約80MHz的所有頻率處提供小于大約0.5Ohm的有效阻抗，所述內(nèi)部分路電感電路包括：

高密度電容器，具有與電路地相連接的第一端子；以及

內(nèi)部分路電感，連接在源極-漏極端子和所述高密度電容器的第二端子之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻放大器電路，其中，所述高密度電容器具有至少15nF的電容和至少3nF/mm²的電容密度中的至少一個。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻放大器電路，其中，所述高密度電容器包括三維表面區(qū)域電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻放大器電路，其中，所述三維表面區(qū)域電極包括以下結(jié)構(gòu)：所述結(jié)構(gòu)包括蝕刻在表面中的孔、從硅表面延伸的柱、溝槽以及蜂窩結(jié)構(gòu)中的一個或多個。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻放大器電路，其中，所述高密度電容器包括電介質(zhì)堆疊，所述電介質(zhì)堆疊是氧化物/氮化物/氧化物(ONO)堆疊、氧化物/氮化物堆疊(ON)以及氧氮化物(NO)堆疊中的一個。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻放大器電路，其中，晶體管是橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。

9.一種用于創(chuàng)建具有高密度電容器和射頻晶體管的射頻放大器電路的方法，所述方法包括：

通過以下操作來形成所述高密度電容器：

通過對高摻雜度的Si襯底形成圖樣和進行蝕刻，形成直徑大約0.5μm至1.5μm、深大約10μm、具有大約2μm至3μm的間距的集合重復(fù)結(jié)構(gòu)，來形成電容器的第一板；

通過氧化蝕刻后的Si襯底、使氮化硅沉積在氧化后的Si襯底上、以及在沉積后的氮化硅上生成氧化硅薄膜，形成Si襯底的前側(cè)的氧化物、氮化物、氧化物層；

通過使多晶硅沉積在氧化硅薄膜上，形成電容器的第二板；

以及

使電極沉積在沉積后的多晶硅上；以及

使用具有電感的電連接將電極連接至射頻晶體管，所述電連接和高密度電容器具有足以提供對射頻晶體管的寄生輸出電容的補償?shù)碾姼泻碗娙荨?/p>

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括以下步驟：將Si襯底薄化至達到所期望的厚度，所期望的厚度是高密度電容器的所期望的厚度以及Si襯底的所期望的電阻中的至少一個的因素。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所期望的厚度小于大約200μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述電連接是接合線。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括以下步驟：執(zhí)行對Si襯底的背側(cè)的金屬化。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括以下步驟：將Si襯底切塊為具有小于10mm²的橫截面積的電容器。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成高密度電容器的步驟是在對射頻晶體管來說公共的襯底上實現(xiàn)的。