[發(fā)明專利]發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010599378.X | 申請(qǐng)日: | 2010-12-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102130257A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金省均;林祐湜;秋圣鎬;崔炳均 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/26 | 分類號(hào): | H01L33/26;H01L33/06;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春暉;李德山 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 器件 封裝 以及 照明 系統(tǒng) | ||
交叉引用
本申請(qǐng)要求2009年12月11日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2009-0123005的優(yōu)先權(quán),通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容包括于此。
技術(shù)領(lǐng)域
各實(shí)施例涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(LED)是將電流轉(zhuǎn)換成光的半導(dǎo)體器件。
從各種LED發(fā)射的光的波長(zhǎng)根據(jù)用來(lái)制造LED的半導(dǎo)體材料而改變。這是因?yàn)樗l(fā)射的光的波長(zhǎng)依賴于半導(dǎo)體材料的帶隙。各種帶隙代表價(jià)帶電子和導(dǎo)帶電子之間的能量差。
近來(lái),隨著LED的亮度的增加,LED正被用作為用于顯示、車(chē)輛和照明的光源。另外,可以通過(guò)使用熒光物質(zhì)或組合具有各種顏色的LED來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率發(fā)射白光的LED。
發(fā)明內(nèi)容
各實(shí)施例提供具有新的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)。
各實(shí)施例還提供在電極和電極焊盤(pán)之間具有增強(qiáng)的接合力的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)。
在一個(gè)實(shí)施例中,一種發(fā)光器件,包括:發(fā)光結(jié)構(gòu)層,包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層和在所述第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層之間的有源層;以及,電極,包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)層上的焊盤(pán)部分和指形部分,其中,所述焊盤(pán)部分包括其中限定了至少一個(gè)開(kāi)口的圖案,并且所述指形部分包括電連接至所述焊盤(pán)部分并從所述焊盤(pán)部分線性地延伸的圖案。
在另一實(shí)施例中,一種發(fā)光器件封裝,包括:封裝體;在所述封裝體上的第一和第二電極層,所述第一和第二電極層彼此電隔離;在所述封裝體上的發(fā)光器件,所述發(fā)光器件電連接至所述第一和第二電極層;以及模制部件,所述模制部件包圍主體上的發(fā)光器件,其中,所述發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)層和電極,所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層之間的有源層;所述電極包括在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上的焊盤(pán)部分和指形部分,其中所述焊盤(pán)部分包括其中限定了至少一個(gè)開(kāi)口的圖案,并且所述指形部分包括電連接至所述焊盤(pán)部分并從所述焊盤(pán)部分線性地延伸的圖案,其中,所述發(fā)光器件包括在所述焊盤(pán)部分上的電極焊盤(pán)。
在又一實(shí)施例中,一種照明系統(tǒng),其使用發(fā)光器件作為光源,所述照明系統(tǒng)包括:基板;以及在所述基板上的至少一個(gè)發(fā)光器件,其中,所述發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)層和電極,所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層之間的有源層;所述電極包括在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上的焊盤(pán)部分和指形部分,其中所述焊盤(pán)部分包括其中限定了至少一個(gè)開(kāi)口的圖案,并且所述指形部分包括電連接至所述焊盤(pán)部分并從所述焊盤(pán)部分線性地延伸的圖案。
在附圖和下面的說(shuō)明書(shū)中闡述一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的詳情。根據(jù)說(shuō)明書(shū)、附圖和權(quán)利要求書(shū),其它特征將變得明顯。
附圖說(shuō)明
圖1到圖3是根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的示圖。
圖4是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的電極的示圖。
圖5是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的電極的示圖。
圖6是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的電極的示圖。
圖7是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的電極的示圖。
圖8是示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的電極的示圖。
圖9是示出根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件的電極的示圖。
圖10是示出根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光器件的電極的示圖。
圖11是示出根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光器件的電極的示圖。
圖12是包括根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的示圖。
圖13是使用根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝的背光單元的示圖。
圖14是使用根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝的照明單元的示圖。
具體實(shí)施方式
在實(shí)施例的說(shuō)明中,應(yīng)當(dāng)理解,當(dāng)提及到一層(或者膜)在另一層或者襯底“上”時(shí),該層(或者膜)可以直接在另一層或者襯底上,或者還可以存在中間層。另外,應(yīng)當(dāng)理解,當(dāng)提及到一層在另一層“下”時(shí),該層可以直接在另一層下,并且還可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。另外,關(guān)于在各層“上”或“下”的涵義還可以根據(jù)附圖得出。
在附圖中,為了便于說(shuō)明和清楚起見(jiàn),各層的厚度或大小被夸大、省略或示意地示出。另外,各元件的大小并不完全反映實(shí)際的大小。
在下文中,將參照附圖說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開(kāi)參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開(kāi)參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
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- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測(cè)方法以及裝置以及系統(tǒng)
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