[發(fā)明專利]CNT組合物、CNT層結(jié)構(gòu)體及其制法、液晶顯示裝置及其制法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010596239.1
• 申請(qǐng)日: 2010-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102250439A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹善美;寗洪龍;鄭敞午;崔在榮;崔元默;申鉉振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C08L33/02
• 分類號(hào): C08L33/02;C08K7/00;C08K3/04;B82Y30/00;B32B9/00;G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.碳納米管組合物，包含：

碳納米管；

含有反應(yīng)性官能團(tuán)的分散劑；和

分散介質(zhì)。

2.權(quán)利要求1的碳納米管組合物，其中所述碳納米管包括選自單壁碳納米管、雙壁碳納米管、和多壁碳納米管的碳納米管。

3.權(quán)利要求2的碳納米管組合物，其中所述多壁碳納米管為薄多壁碳納米管

4.權(quán)利要求1的碳納米管組合物，其中所述反應(yīng)性官能團(tuán)具有極性，并且包括選自碳、氫、氧、氮、硫、磷及其組合的原子種類。

5.權(quán)利要求4的碳納米管組合物，其中所述反應(yīng)性官能團(tuán)包括選自羧基、乙酸基、硝酸基、羥基、膦酸基、磺基、亞胺基、胺基、酰胺基、環(huán)氧基及其組合的官能團(tuán)。

6.權(quán)利要求1的碳納米管組合物，其中所述分散劑具有20,000或更小的重均分子量。

7.權(quán)利要求1的碳納米管組合物，其中所述分散劑包括選自聚丙烯酸、聚(乙烯亞胺)、聚(烯丙胺)、聚(4-苯乙烯磺酸)、聚甲基丙烯酸、聚膦酸酯、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯、硝酸纖維素、糖原及其組合的聚合物。

8.權(quán)利要求1的碳納米管組合物，其中所述分散介質(zhì)包括第一液體和第二液體，

其中所述第一液體是親水性的和所述第二液體是與所述第一液體能混溶的，和

所述分散劑在所述第二液體中的溶解度高于在所述第一液體中的溶解度。

9.權(quán)利要求1的碳納米管組合物，其中所述第一液體為水，和所述第二液體為含有羥基的物質(zhì)。

10.權(quán)利要求9的碳納米管組合物，其中所述第二液體包括醇。

11.權(quán)利要求1的碳納米管組合物，其中在向所述分散劑施加外部能量時(shí)，在所述反應(yīng)性官能團(tuán)的兩個(gè)或更多個(gè)官能團(tuán)之間、在所述反應(yīng)性官能團(tuán)與另外的反應(yīng)性官能團(tuán)之間、或者在所述反應(yīng)性官能團(tuán)與外部的氧之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

12.權(quán)利要求11的碳納米管組合物，其中所述化學(xué)反應(yīng)為通過(guò)氫鍵鍵合或水解的縮合反應(yīng)。

13.碳納米管層結(jié)構(gòu)體，包括：

基底；和

設(shè)置于所述基底上的碳納米管層，

其中所述碳納米管層包括：

以網(wǎng)絡(luò)形狀排列的碳納米管；和

吸附到所述碳納米管并且與所述基底化學(xué)鍵合的有機(jī)材料。

14.權(quán)利要求13的碳納米管層結(jié)構(gòu)體，其中所述化學(xué)鍵合包括氫鍵鍵合。

15.權(quán)利要求13的碳納米管層結(jié)構(gòu)體，其中所述碳納米管層以圖案化的結(jié)構(gòu)排列。

16.權(quán)利要求13的碳納米管層結(jié)構(gòu)體，其中所述基底包括孔，和所述碳納米管層的一部分設(shè)置于所述孔中。

17.權(quán)利要求16的碳納米管層結(jié)構(gòu)體，其中所述孔包括寬度，該孔變細(xì)，使得所述孔的寬度在朝著所述基底的方向上減小。

18.液晶顯示裝置，包括權(quán)利要求13-17任一項(xiàng)的碳納米管層結(jié)構(gòu)體。

19.權(quán)利要求18的液晶顯示裝置，其中所述基底為鈍化層，和所述碳納米管層為像素電極。

20.制造碳納米管層結(jié)構(gòu)體的方法，該方法包括：

將權(quán)利要求1-12任一項(xiàng)的碳納米管組合物涂覆在基底上；和

向涂覆在所述基底上的所述碳納米管組合物提供外部能量，以形成碳納米管層。

21.權(quán)利要求20的方法，其中所述外部能量通過(guò)熱處理提供。

22.權(quán)利要求21的方法，其中所述熱處理在80℃～250℃的溫度下進(jìn)行。

23.權(quán)利要求20的方法，進(jìn)一步包括將所述碳納米管層圖案化。

24.制造液晶顯示裝置的方法，該方法包括：

在鈍化層上形成像素電極，所述形成像素電極是通過(guò)權(quán)利要求20-23任一項(xiàng)的方法，

其中所述基底為所述鈍化層。

25.顯示裝置，包括：

包括第一電極的第一基板；

第二基板，其面向所述第一基板和包括在像素區(qū)域中的第二電極；和

在所述第一和第二基板之間的電-光學(xué)活性層；

其中所述第二電極包括碳納米管層結(jié)構(gòu)體，該碳納米管層結(jié)構(gòu)體包括：

在所述第二基板上的鈍化層；和

直接在所述鈍化層上的碳納米管層，

其中所述碳納米管層包括碳納米管和吸附到所述碳納米管的有機(jī)材料，和所述有機(jī)材料與所述鈍化層化學(xué)鍵合。