[發明專利]一種制備羥基氧化錳超細單晶納米線的方法無效
| 申請號： | 201010592722.2 | 申請日： | 2010-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN102531064A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 李小劍;趙一;周成鋼 | 申請（專利權）人： | 西安邁克森新材料有限公司 |
| 主分類號： | C01G45/00 | 分類號： | C01G45/00;B82Y40/00 |
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| 地址： | 710075 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 羥基 氧化錳 超細單晶 納米 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種合成羥基氧化錳超細單晶納米線的方法，其特征在于，該方法使用高錳酸鉀為單一錳源，采用有機物分子作為還原劑，在密閉反應體系下反應，所述有機物分子包括聚乙烯吡咯烷酮或十二烷基硫酸鈉，具體步驟如下：
(1)將聚乙烯吡咯烷酮或十二烷基硫酸鈉與高錳酸鉀按物質的量之比0.5-5加入到去離子水中，室溫下充分攪拌混合均勻；
(2)將上述混合溶液轉移到密閉的反應器中，在120～170℃下反應5～30h，然后冷卻至室溫經過濾洗滌得到單斜相羥基氧化錳納米線。
2.根據權利要求1所述合成羥基氧化錳超細單晶納米線的方法，其特征在于：所述聚乙烯吡咯烷酮或十二烷基硫酸鈉與高錳酸鉀按物質的量之比為2～4.2較佳。
3.根據權利要求2所述合成羥基氧化錳超細單晶納米線的方法，其特征在于：所述聚乙烯吡咯烷酮或十二烷基硫酸鈉與高錳酸鉀按物質的量之比為3～3.5最佳。
4.根據權利要求1所述合成羥基氧化錳超細單晶納米線的方法，其特征在于：所述反應條件是，在130～160℃下，反應6～28h。
5.根據權利要求1所述合成羥基氧化錳超細單晶納米線的方法，其特征在于：所述反應條件是，在140～150℃下，反應10～25h。
6.根據權利要求1所述合成羥基氧化錳超細單晶納米線的方法，其特征在于：所述反應條件是，在150℃下，反應15h。
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